Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET Kalkulator

✖Całkowita rezystancja obciążenia tranzystora MOSFET obejmuje zarówno wewnętrzną rezystancję dren-źródło tranzystora MOSFET, jak i rezystancję zewnętrznego obciążenia podłączonego do zacisku drenu.ⓘ Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET [R_tl]			+10% -10%
✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.ⓘ Sygnał wejściowy trybu wspólnego [V_cin]			+10% -10%

✖Napięcie wyjściowe to różnica potencjałów elektrycznych, która jest dostarczana do obciążenia przez zasilacz i odgrywa kluczową rolę w określaniu wydajności i niezawodności systemów elektronicznych.ⓘ Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET [V_out]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Formuła

`"V"_{"out"} = -("R"_{"tl"}/(2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Przykład

`"-73.406667V"=-("7.8kΩ"/(2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie wyjściowe - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wyjściowe to różnica potencjałów elektrycznych, która jest dostarczana do obciążenia przez zasilacz i odgrywa kluczową rolę w określaniu wydajności i niezawodności systemów elektronicznych.
Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET - (Mierzone w Om) - Całkowita rezystancja obciążenia tranzystora MOSFET obejmuje zarówno wewnętrzną rezystancję dren-źródło tranzystora MOSFET, jak i rezystancję zewnętrznego obciążenia podłączonego do zacisku drenu.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
Sygnał wejściowy trybu wspólnego - (Mierzone w Wolt) - Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET: 7.8 Kilohm --> 7800 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Sygnał wejściowy trybu wspólnego: 84.7 Wolt --> 84.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin --> -(7800/(2*4500))*84.7

Ocenianie ... ...

V_out = -73.4066666666667

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

-73.4066666666667 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

-73.4066666666667 ≈ -73.406667 Wolt <-- Napięcie wyjściowe

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Prahalad Singh

Jaipur Engineering College and Research Center (JECRC), Jaipur

Prahalad Singh zweryfikował ten kalkulator i 10+ więcej kalkulatorów!

< 20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))

Źródło napięcia wejściowego

Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))

Napięcie wejściowe bramka-źródło

Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))*Napięcie wejściowe

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))

Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na drenie Q2 w MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania

Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET Formułę

Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
V_out = -(R_tl/(2*R_out))*V_cin

Jak MOSFET działa jako wzmacniacz?

Niewielka zmiana napięcia bramki powoduje dużą zmianę prądu drenu, jak w JFET. Fakt ten sprawia, że MOSFET jest w stanie podnieść siłę słabego sygnału; działając w ten sposób jako wzmacniacz. Podczas dodatniego półokresu sygnału, dodatnie napięcie na bramce rośnie i wytwarza tryb wzmocnienia.

W jaki sposób MOSFET kontroluje napięcie?

Tranzystory MOSFET były również używane jako rezystory sterowane napięciem. Ponieważ większość dzisiejszych tranzystorów MOSFET ma tendencję do bycia „trybem wzmocnienia”, oznacza to, że wymaganym polaryzacją na bramce jest napięcie dodatnie, które włącza prąd drenu i obniża jego wartość R

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!