Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Kalkulator

✖Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.ⓘ Rezystancja wyjściowa [R_out]			+10% -10%
✖Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.ⓘ Transkonduktancja [g_m]			+10% -10%
✖Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.ⓘ Sygnał wejściowy trybu wspólnego [V_cin]			+10% -10%

✖Napięcie drenu Q2 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q2 w obwodzie różnicowym.ⓘ Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym [v_o2]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Formuła

`"v"_{"o2"} = -("R"_{"out"}/((1/"g"_{"m"})+2*"R"_{"out"}))*"V"_{"cin"}`

Przykład

`"-34.65V"=-("4.5kΩ"/((1/"0.5mS")+2*"4.5kΩ"))*"84.7V"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie drenu Q2 - (Mierzone w Wolt) - Napięcie drenu Q2 to napięcie pobierane na zacisku drenu na jednym tranzystorze Q2 w obwodzie różnicowym.
Rezystancja wyjściowa - (Mierzone w Om) - Rezystancja wyjściowa odnosi się do rezystancji obwodu elektronicznego na przepływ prądu, gdy do jego wyjścia podłączone jest obciążenie.
Transkonduktancja - (Mierzone w Siemens) - Transkonduktancja jest definiowana jako stosunek zmiany prądu wyjściowego do zmiany napięcia wejściowego, przy stałym napięciu bramki-źródła.
Sygnał wejściowy trybu wspólnego - (Mierzone w Wolt) - Sygnał wejściowy w trybie wspólnym to rodzaj sygnału elektrycznego, który pojawia się jednakowo na obu zaciskach wejściowych wzmacniacza różnicowego.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Rezystancja wyjściowa: 4.5 Kilohm --> 4500 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Transkonduktancja: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Sygnał wejściowy trybu wspólnego: 84.7 Wolt --> 84.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin --> -(4500/((1/0.0005)+2*4500))*84.7

Ocenianie ... ...

v_o2 = -34.65

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

-34.65 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

-34.65 Wolt <-- Napięcie drenu Q2

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))

Źródło napięcia wejściowego

Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))

Napięcie wejściowe bramka-źródło

Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))*Napięcie wejściowe

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))

Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na drenie Q2 w MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania

Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym Formułę

Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego
v_o2 = -(R_out/((1/g_m)+2*R_out))*V_cin

Co powoduje odrzucenie trybu wspólnego?

Tłumienie w trybie wspólnym to zdolność wzmacniacza różnicowego (który znajduje się między oscyloskopem a sondami jako przedwzmacniacz kondycjonujący sygnał) do eliminowania napięcia w trybie wspólnym z wyjścia. Jednak wraz ze wzrostem częstotliwości sygnału CMRR pogarsza się.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!