NWD dwóch liczby

Potencjał między Źródłem a Ciałem Kalkulator

Inżynieria Budżetowy Chemia Fizyka Więcej >>

↳

Elektronika Cywilny Elektronika i oprzyrządowanie Elektryczny Więcej >>

⤿

Produkcja VLSI Antena i propagacja fal Cyfrowe przetwarzanie obrazu EDC Więcej >>

⤿

Konstrukcja analogowa VLSI Optymalizacja materiałów VLSI

✖Potencjał powierzchniowy jest kluczowym parametrem przy ocenie właściwości prądu stałego tranzystorów cienkowarstwowych.ⓘ Potencjał powierzchni [Φ_s]			+10% -10%
✖Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.ⓘ Stężenie akceptora [N_A]			+10% -10%
✖Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.ⓘ Wewnętrzna koncentracja [N_i]			+10% -10%

✖Różnica potencjałów ciała źródłowego jest obliczana, gdy przyłożony zewnętrznie potencjał jest równy sumie spadku napięcia na warstwie tlenku i spadku napięcia na półprzewodniku.ⓘ Potencjał między Źródłem a Ciałem [V_sb]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Potencjał między Źródłem a Ciałem Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Różnica potencjałów ciała źródłowego = Potencjał powierzchni/(2*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Ta formuła używa 1 Funkcje, 4 Zmienne

Używane funkcje

ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)

Używane zmienne

Różnica potencjałów ciała źródłowego - (Mierzone w Wolt) - Różnica potencjałów ciała źródłowego jest obliczana, gdy przyłożony zewnętrznie potencjał jest równy sumie spadku napięcia na warstwie tlenku i spadku napięcia na półprzewodniku.
Potencjał powierzchni - (Mierzone w Wolt) - Potencjał powierzchniowy jest kluczowym parametrem przy ocenie właściwości prądu stałego tranzystorów cienkowarstwowych.
Stężenie akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Wewnętrzna koncentracja - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Potencjał powierzchni: 6.86 Wolt --> 6.86 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Stężenie akceptora: 1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Wewnętrzna koncentracja: 14500000000 1 na centymetr sześcienny --> 1.45E+16 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Ocenianie ... ...

V_sb = 0.255133406849134

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.255133406849134 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Wolt <-- Różnica potencjałów ciała źródłowego

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Konstrukcja analogowa VLSI » Potencjał między Źródłem a Ciałem

Kredyty

Stworzone przez Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institute of Technology (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri utworzył ten kalkulator i 900+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< Konstrukcja analogowa VLSI Kalkulatory

Opróżnij napięcie

LaTeX Iść Podstawowe napięcie kolektora = sqrt(Moc dynamiczna/(Częstotliwość*Pojemność))

Brama do pojemności bazowej

LaTeX Iść Brama do pojemności bazowej = Pojemność bramki-(Pojemność bramy do źródła+Brama do drenażu pojemności)

Brama do napięcia kanału

LaTeX Iść Napięcie bramki do kanału = (Opłata za kanał/Pojemność bramki)+Próg napięcia

Brama do potencjału kolekcjonerskiego

LaTeX Iść Napięcie bramki do kanału = (Brama do potencjału źródła+Brama do drenażu potencjału)/2

Zobacz więcej >>

Potencjał między Źródłem a Ciałem Formułę

LaTeX Iść

Różnica potencjałów ciała źródłowego = Potencjał powierzchni/(2*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Jak ciało wpływa na napięcie progowe?

Tranzystory to urządzenie z czterema zaciskami. Są bramą, źródłem, drenażem i ciałem. Gdy napięcie Vsb jest przyłożone między źródłem a ciałem, zwiększa ilość ładunku wymaganego do odwrócenia kanału, a zatem zwiększa napięcie progowe. Efekt ciała dodatkowo pogarsza wydajność tranzystorów przepustowych, które próbują przekazać słabą wartość.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!