Potenzial zwischen Quelle und Körper Taschenrechner

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Analoges VLSI-Design

VLSI-Materialoptimierung

✖Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.ⓘ Oberflächenpotential [Φ_s]			+10% -10%
✖Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_A]			+10% -10%
✖Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht.ⓘ Intrinsische Konzentration [N_i]			+10% -10%

✖Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist.ⓘ Potenzial zwischen Quelle und Körper [V_sb]

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Formel

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Potenzial zwischen Quelle und Körper

Formel

`"V"_{"sb"} = "Φ"_{"s"}/(2*ln("N"_{"A"}/"N"_{"i"}))`

Beispiel

`"0.255133V"="6.86V"/(2*ln("1e+16/cm³"/"1.45e+10/cm³"))`

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Potenzial zwischen Quelle und Körper Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 4 Variablen

Verwendete Funktionen

ln - Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion., ln(Number)

Verwendete Variablen

Potenzialdifferenz des Quellkörpers - (Gemessen in Volt) - Die Source-Body-Potentialdifferenz wird berechnet, wenn ein extern angelegtes Potential gleich der Summe des Spannungsabfalls über der Oxidschicht und des Spannungsabfalls über dem Halbleiter ist.
Oberflächenpotential - (Gemessen in Volt) - Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.
Intrinsische Konzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter intrinsischer Konzentration versteht man die Konzentration von Ladungsträgern (Elektronen und Löcher) in einem intrinsischen Halbleiter im thermischen Gleichgewicht.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Oberflächenpotential: 6.86 Volt --> 6.86 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 1E+16 1 pro Kubikzentimeter --> 1E+22 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Intrinsische Konzentration: 14500000000 1 pro Kubikzentimeter --> 1.45E+16 1 pro Kubikmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Auswerten ... ...

V_sb = 0.255133406849134

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.255133406849134 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.255133406849134 ≈ 0.255133 Volt <-- Potenzialdifferenz des Quellkörpers

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Potenzial zwischen Quelle und Körper

Gehen Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))

Drain Voltage

Gehen Basiskollektorspannung = sqrt(Dynamische Kraft/(Frequenz*Kapazität))

Gate-zu-Basis-Kapazität

Gehen Gate-zu-Basis-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-Source-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Gate-to-Drain-Kapazität

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-Source-Kapazität)

Gate-Source-Kapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = Gate-Kapazität-(Gate-zu-Basis-Kapazität+Gate-to-Drain-Kapazität)

Potenzial von Drain zu Source

Gehen Drain-to-Source-Potenzial = (Schwellenspannung DIBL-Grenzspannung)/DIBL-Koeffizient

Gate-zu-Kanal-Spannung

Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Kanalgebühr/Gate-Kapazität)+Grenzspannung

Maximale niedrige Ausgangsspannung

Gehen Maximal niedrige Ausgangsspannung = Maximal niedrige Eingangsspannung-Geringer Rauschabstand

Maximal niedrige Eingangsspannung

Gehen Maximal niedrige Eingangsspannung = Geringer Rauschabstand+Maximal niedrige Ausgangsspannung

Geringer Rauschabstand

Gehen Geringer Rauschabstand = Maximal niedrige Eingangsspannung-Maximal niedrige Ausgangsspannung

Minimale hohe Eingangsspannung

Gehen Minimale hohe Eingangsspannung = Minimale hohe Ausgangsspannung-Hoher Rauschabstand

Minimale hohe Ausgangsspannung

Gehen Minimale hohe Ausgangsspannung = Hoher Rauschabstand+Minimale hohe Eingangsspannung

Hoher Rauschabstand

Gehen Hoher Rauschabstand = Minimale hohe Ausgangsspannung-Minimale hohe Eingangsspannung

Gate-to-Collector-Potenzial

Gehen Gate-zu-Kanal-Spannung = (Tor-zu-Quelle-Potenzial+Tor zur Potenzialentwässerung)/2

Tor zur Ableitung von Potenzial

Gehen Tor zur Potenzialentwässerung = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor-zu-Quelle-Potenzial

Tor-zu-Quelle-Potenzial

Gehen Tor-zu-Quelle-Potenzial = 2*Gate-zu-Kanal-Spannung-Tor zur Potenzialentwässerung

Potenzial zwischen Quelle und Körper Formel

Potenzialdifferenz des Quellkörpers = Oberflächenpotential/(2*ln(Akzeptorkonzentration/Intrinsische Konzentration))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Wie wirkt sich der Körper auf die Schwellenspannung aus?

Transistoren ist ein Gerät mit vier Anschlüssen. Sie sind Gate, Source, Drain und Body. Wenn eine Spannung Vsb zwischen Source und Body angelegt wird, erhöht sie die Ladungsmenge, die zum Invertieren des Kanals erforderlich ist, und erhöht daher die Schwellenspannung. Der Body-Effekt verschlechtert die Leistung von Durchgangstransistoren weiter, die versuchen, den schwachen Wert zu passieren.

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