Prąd odprowadzania nasycenia Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Charakterystyka diody

Charakterystyka nośnika ładunku

Charakterystyka półprzewodników

Parametry elektrostatyczne

Parametry pracy tranzystora

✖Parametr transkonduktancji jest kluczowym parametrem w urządzeniach i obwodach elektronicznych, który pomaga opisać i określić ilościowo zależność między wejściem a wyjściem między napięciem a prądem.ⓘ Parametr transkonduktancji [g_m]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki tranzystora to napięcie, które spada na zacisk bramki-źródła tranzystora.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramka-źródło, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej między zaciskami źródła i drenu.ⓘ Próg napięcia [V_th]			+10% -10%

✖Prąd nasycenia diody to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.ⓘ Prąd odprowadzania nasycenia [I_s]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd odprowadzania nasycenia

Formuła

`"I"_{"s"} = 0.5*"g"_{"m"}*("V"_{"gs"}-"V"_{"th"})`

Przykład

`"9.9mA"=0.5*"0.036S"*("1.25V"-"0.7V")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Charakterystyka diody Formuły PDF PDF Image

Prąd odprowadzania nasycenia Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd nasycenia diody = 0.5*Parametr transkonduktancji*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)
I_s = 0.5*g_m*(V_gs-V_th)
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Prąd nasycenia diody - (Mierzone w Amper) - Prąd nasycenia diody to gęstość prądu upływu diody przy braku światła. Jest to ważny parametr odróżniający jedną diodę od drugiej.
Parametr transkonduktancji - (Mierzone w Siemens) - Parametr transkonduktancji jest kluczowym parametrem w urządzeniach i obwodach elektronicznych, który pomaga opisać i określić ilościowo zależność między wejściem a wyjściem między napięciem a prądem.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki tranzystora to napięcie, które spada na zacisk bramki-źródła tranzystora.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe tranzystora to minimalne napięcie bramka-źródło, które jest potrzebne do utworzenia ścieżki przewodzącej między zaciskami źródła i drenu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji: 0.036 Siemens --> 0.036 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła bramki: 1.25 Wolt --> 1.25 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 0.7 Wolt --> 0.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_s = 0.5*g_m*(V_gs-V_th) --> 0.5*0.036*(1.25-0.7)

Ocenianie ... ...

I_s = 0.0099

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.0099 Amper -->9.9 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

9.9 Miliamper <-- Prąd nasycenia diody

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » EDC » Charakterystyka diody » Prąd odprowadzania nasycenia

Kredyty

Stworzone przez Akshada Kulkarni

Narodowy Instytut Informatyki (NIIT), Neemrana

Akshada Kulkarni utworzył ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indie

Team Softusvista zweryfikował ten kalkulator i 1100+ więcej kalkulatorów!

< 16 Charakterystyka diody Kalkulatory

Niedoskonałe równanie diody

Iść Nieidealny prąd diody = Odwrotny prąd nasycenia*(e^(([Charge-e]*Napięcie diody)/(Czynnik idealności*[BoltZ]*Temperatura))-1)

Idealne równanie diody

Iść Prąd diody = Odwrotny prąd nasycenia*(e^(([Charge-e]*Napięcie diody)/([BoltZ]*Temperatura))-1)

Częstotliwość rezonansu własnego diody Varactor

Iść Częstotliwość rezonansu własnego = 1/(2*pi*sqrt(Indukcyjność diody Varactor*Pojemność diody Varactor))

Pojemność diody Varactor

Iść Pojemność diody Varactor = Stała materiałowa/((Potencjał bariery+Napięcie wsteczne)^Stała dopingowa)

Prąd odprowadzania nasycenia

Iść Prąd nasycenia diody = 0.5*Parametr transkonduktancji*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)

Częstotliwość odcięcia diody Varactor

Iść Częstotliwość odcięcia = 1/(2*pi*Seria rezystancji pola*Pojemność diody Varactor)

Prąd Zenera

Iść Prąd Zenera = (Napięcie wejściowe-Napięcie Zenera)/Opór Zenera

Równanie napięcia termicznego diody

Iść Napięcie termiczne = [BoltZ]*Temperatura/[Charge-e]

Równanie diody dla germanu w temperaturze pokojowej

Iść Prąd diody germanowej = Odwrotny prąd nasycenia*(e^(Napięcie diody/0.026)-1)

Współczynnik jakości diody Varactor

Iść Współczynnik jakości = Częstotliwość odcięcia/Częstotliwość robocza

Odpowiedzialność

Iść Odpowiedzialność = Aktualne zdjęcie/Incydentalna moc optyczna

Odporność Zenera

Iść Opór Zenera = Napięcie Zenera/Prąd Zenera

Napięcie Zenera

Iść Napięcie Zenera = Opór Zenera*Prąd Zenera

Średni prąd stały

Iść Prąd stały = 2*Prąd szczytowy/pi

Napięcie równoważne temperatury

Iść Woltowy odpowiednik temperatury = Temperatura pokojowa/11600

Maksymalne światło fali

Iść Maksymalne światło fali = 1.24/Przerwa energetyczna

Prąd odprowadzania nasycenia Formułę

Prąd nasycenia diody = 0.5*Parametr transkonduktancji*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)
I_s = 0.5*g_m*(V_gs-V_th)

Jak prąd drenu zmienia się wraz z bramką do źródła i napięcia progowego?

Prąd drenu wynosi zero, jeśli napięcie bramki do źródła jest mniejsze niż napięcie progowe. Wyrażenie liniowe jest poprawne tylko wtedy, gdy napięcie między drenem a źródłem jest znacznie mniejsze niż napięcie bramki do źródła minus napięcie progowe. Zapewnia to, że prędkość, pole elektryczne i gęstość ładunku w warstwie inwersyjnej są rzeczywiście stałe między źródłem a drenem. Chociaż nie ma prądu drenu, jeśli napięcie bramki jest mniejsze niż napięcie progowe, prąd rośnie wraz z napięciem bramki, gdy jest większe niż napięcie progowe.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!