Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym Kalkulator

✖Prąd wejściowy może odnosić się do prądu elektrycznego płynącego do urządzenia lub obwodu elektrycznego. Prąd ten może być prądem przemiennym lub stałym, w zależności od urządzenia i źródła zasilania.ⓘ Prąd wejściowy [I_in]			+10% -10%
✖Częstotliwość kątowa fali odnosi się do przesunięcia kątowego w jednostce czasu. Jest to skalarna miara szybkości rotacji.ⓘ Częstotliwość kątowa [ω]			+10% -10%
✖Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).ⓘ Pojemność bramki źródłowej [C_sg]			+10% -10%
✖Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).ⓘ Pojemność bramowo-drenowa [C_gd]			+10% -10%

✖Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.ⓘ Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym [V_gs]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Formuła

`"V"_{"gs"} = "I"_{"in"}/("ω"*("C"_{"sg"}+"C"_{"gd"}))`

Przykład

`"3.997761V"="2mA"/("33rad/s"*("8.16μF"+"7μF"))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie bramka-źródło - (Mierzone w Wolt) - Napięcie bramka-źródło jest krytycznym parametrem wpływającym na działanie tranzystora FET i często jest wykorzystywane do kontrolowania zachowania urządzenia.
Prąd wejściowy - (Mierzone w Amper) - Prąd wejściowy może odnosić się do prądu elektrycznego płynącego do urządzenia lub obwodu elektrycznego. Prąd ten może być prądem przemiennym lub stałym, w zależności od urządzenia i źródła zasilania.
Częstotliwość kątowa - (Mierzone w Radian na sekundę) - Częstotliwość kątowa fali odnosi się do przesunięcia kątowego w jednostce czasu. Jest to skalarna miara szybkości rotacji.
Pojemność bramki źródłowej - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramki źródła jest miarą pojemności pomiędzy elektrodą źródła i bramki w tranzystorze polowym (FET).
Pojemność bramowo-drenowa - (Mierzone w Farad) - Pojemność bramka-dren to pojemność pasożytnicza występująca pomiędzy elektrodą bramkową i drenową tranzystora polowego (FET).

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Prąd wejściowy: 2 Miliamper --> 0.002 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Częstotliwość kątowa: 33 Radian na sekundę --> 33 Radian na sekundę Nie jest wymagana konwersja
Pojemność bramki źródłowej: 8.16 Mikrofarad --> 8.16E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)
Pojemność bramowo-drenowa: 7 Mikrofarad --> 7E-06 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd)) --> 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06))

Ocenianie ... ...

V_gs = 3.99776125369793

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

3.99776125369793 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

3.99776125369793 ≈ 3.997761 Wolt <-- Napięcie bramka-źródło

(Obliczenie zakończone za 00.007 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Napięcie » Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Anshika Arya

Narodowy Instytut Technologii (GNIDA), Hamirpur

Anshika Arya zweryfikował ten kalkulator i 2500+ więcej kalkulatorów!

< 20 Napięcie Kalkulatory

Przewodnictwo kanału MOSFET przy użyciu napięcia bramki-źródła

Iść Przewodnictwo kanału = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia)

Napięcie wyjściowe wspólnej bramki

Iść Napięcie wyjściowe = -(Transkonduktancja*Napięcie krytyczne)*((Odporność na obciążenie*Opór bramy)/(Opór bramy+Odporność na obciążenie))

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q1 = -Rezystancja wyjściowa*(Transkonduktancja*Sygnał wejściowy trybu wspólnego)/(1+(2*Transkonduktancja*Rezystancja wyjściowa))

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET podczas pracy z różnicowym napięciem wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+sqrt((2*Prąd polaryzacji DC)/(Parametr transkonduktancji procesu*Współczynnik proporcji))

Źródło napięcia wejściowego

Iść Źródło napięcia wejściowego = Napięcie wejściowe*(Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))

Napięcie wejściowe bramka-źródło

Iść Napięcie krytyczne = (Rezystancja wzmacniacza wejściowego/(Rezystancja wzmacniacza wejściowego+Równoważna rezystancja źródła))*Napięcie wejściowe

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET podanego w trybie wspólnym

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa/((1/Transkonduktancja)+2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym

Iść Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie dodatnie podane w parametrze urządzenia w tranzystorze MOSFET

Iść Prąd wejściowy = Napięcie bramka-źródło*(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))

Napięcie przesterowania, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz z rezystancją obciążenia

Iść Transkonduktancja = Całkowity prąd/(Sygnał wejściowy trybu wspólnego-(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa))

Przyrostowy sygnał napięciowy wzmacniacza różnicowego

Iść Sygnał wejściowy trybu wspólnego = (Całkowity prąd/Transkonduktancja)+(2*Całkowity prąd*Rezystancja wyjściowa)

Napięcie na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie na drenie Q2 w MOSFET

Iść Napięcie wyjściowe = -(Całkowita rezystancja obciążenia MOSFET/(2*Rezystancja wyjściowa))*Sygnał wejściowy trybu wspólnego

Napięcie nasycenia tranzystora MOSFET

Iść Napięcie nasycenia drenu i źródła = Napięcie bramka-źródło-Próg napięcia

Napięcie między bramką a źródłem tranzystora MOSFET na różnicowym napięciu wejściowym przy napięciu przesterowania

Iść Napięcie bramka-źródło = Próg napięcia+1.4*Efektywne napięcie

Napięcie przesterowania

Iść Napięcie przesterowania = (2*Prąd spustowy)/Transkonduktancja

Napięcie wyjściowe na drenie Q1 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q1 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie wyjściowe na drenie Q2 tranzystora MOSFET

Iść Napięcie drenu Q2 = -(Rezystancja wyjściowa*Całkowity prąd)

Napięcie progowe, gdy MOSFET działa jako wzmacniacz

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie progowe MOSFET-u

Iść Próg napięcia = Napięcie bramka-źródło-Efektywne napięcie

Napięcie na bramce i źródle tranzystora MOSFET przy danym prądzie wejściowym Formułę

Napięcie bramka-źródło = Prąd wejściowy/(Częstotliwość kątowa*(Pojemność bramki źródłowej+Pojemność bramowo-drenowa))
V_gs = I_in/(ω*(C_sg+C_gd))

Co to jest MOSFET i jak to działa?

Ogólnie rzecz biorąc, MOSFET działa jako przełącznik, MOSFET kontroluje napięcie i przepływ prądu między źródłem a drenem. Działanie MOSFET-u zależy od kondensatora MOS, który jest powierzchnią półprzewodnika pod warstwami tlenku między źródłem a zaciskiem drenu.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!