Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie Kalkulator

✖Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.ⓘ Efektywne napięcie [V_eff]			+10% -10%
✖Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.ⓘ Prąd spustowy [i_d]			+10% -10%

✖Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.ⓘ Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie [R_fi]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie

Formuła

`"R"_{"fi"} = "V"_{"eff"}/"i"_{"d"}`

Przykład

`"21.25kΩ"="1.7V"/"0.08mA"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Skończony opór = Efektywne napięcie/Prąd spustowy
R_fi = V_eff/i_d
Ta formuła używa 3 Zmienne

Używane zmienne

Skończony opór - (Mierzone w Om) - Skończony opór oznacza po prostu, że opór w obwodzie nie jest nieskończony ani zerowy. Innymi słowy, obwód ma pewną rezystancję, która może mieć wpływ na zachowanie obwodu.
Efektywne napięcie - (Mierzone w Wolt) - Efektywne napięcie w MOSFET (tranzystorze polowym typu metal-tlenek-półprzewodnik) to napięcie, które określa zachowanie urządzenia. Nazywa się je również napięciem bramki-źródła.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający między drenem a zaciskami źródła tranzystora polowego (FET), który jest typem tranzystora powszechnie stosowanego w obwodach elektronicznych.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Efektywne napięcie: 1.7 Wolt --> 1.7 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy: 0.08 Miliamper --> 8E-05 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

R_fi = V_eff/i_d --> 1.7/8E-05

Ocenianie ... ...

R_fi = 21250

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

21250 Om -->21.25 Kilohm (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

21.25 Kilohm <-- Skończony opór

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Opór » Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie

Kredyty

Stworzone przez Suma Madhuri

Uniwersytet VIT (WIT), Chennai

Suma Madhuri utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SKO), Pune

Simran Shravan Nishad zweryfikował ten kalkulator i 2 więcej kalkulatorów!

< 14 Opór Kalkulatory

MOSFET jako rezystancja liniowa przy danym współczynniku kształtu

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*Efektywne napięcie)

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza różnicowego

Iść Rezystancja wyjściowa = ((Sygnał wejściowy trybu wspólnego*Transkonduktancja)-Całkowity prąd)/(2*Transkonduktancja*Całkowity prąd)

Rezystancja wejściowa Mosfet

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/(Prąd kolektora*Wzmocnienie prądu małego sygnału)

Skończony opór między drenem a źródłem

Iść Skończony opór = modulus(Dodatnie napięcie prądu stałego)/Prąd spustowy

Rezystancja wejściowa przy danej transkonduktancji

Iść Rezystancja wejściowa = Wzmocnienie prądu małego sygnału/Transkonduktancja

Średnia droga swobodna elektronu

Iść Średnia droga swobodna elektronu = 1/(Rezystancja wyjściowa*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Średnia droga swobodna elektronu*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa przy danej transkonduktancji

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Mobilność przewoźników*Transkonduktancja)

Rezystancja wyjściowa przy modulacji długości kanału

Iść Rezystancja wyjściowa = 1/(Modulacja długości kanału*Prąd spustowy)

Rezystancja wyjściowa Mosfet

Iść Rezystancja wyjściowa = Wczesne napięcie/Prąd kolektora

Rezystancja wejściowa małego sygnału

Iść Rezystancja wejściowa = Napięcie wejściowe/Prąd bazowy

Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie

Iść Skończony opór = Efektywne napięcie/Prąd spustowy

Przewodnictwo w rezystancji liniowej MOSFET-u

Iść Przewodnictwo kanału = 1/Opór liniowy

MOSFET jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = 1/Przewodnictwo kanału

Rezystancja zależna od napięcia w MOSFET-ie Formułę

Skończony opór = Efektywne napięcie/Prąd spustowy
R_fi = V_eff/i_d

Jakie są zastosowania MOSFET-ów?

Tranzystory MOSFET mają szeroki zakres zastosowań w obwodach elektronicznych, w tym wzmacnianie słabych sygnałów, przełączanie urządzeń elektronicznych i kontrolowanie przepływu prądu w obwodach cyfrowych. Są również stosowane w energoelektronice, obwodach częstotliwości radiowej (RF) oraz w interfejsach systemów komputerowych i urządzeń peryferyjnych.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!