Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET calcolatrice

✖La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.ⓘ Tensione effettiva [V_eff]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.ⓘ Assorbimento di corrente [i_d]			+10% -10%

✖Una resistenza finita significa semplicemente che la resistenza in un circuito non è infinita o zero. In altre parole, il circuito presenta una certa quantità di resistenza, che può influenzarne il comportamento.ⓘ Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET [R_fi]

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Formula

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Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET

Formula

`"R"_{"fi"} = "V"_{"eff"}/"i"_{"d"}`

Esempio

`"21.25kΩ"="1.7V"/"0.08mA"`

Calcolatrice

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Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente
R_fi = V_eff/i_d
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza finita - (Misurato in Ohm) - Una resistenza finita significa semplicemente che la resistenza in un circuito non è infinita o zero. In altre parole, il circuito presenta una certa quantità di resistenza, che può influenzarne il comportamento.
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 0.08 Millampere --> 8E-05 Ampere (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R_fi = V_eff/i_d --> 1.7/8E-05

Valutare ... ...

R_fi = 21250

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

21250 Ohm -->21.25 Kilohm (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

21.25 Kilohm <-- Resistenza finita

(Calcolo completato in 00.020 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Suma Madhuri

Università VIT (VIT), Chennai

Suma Madhuri ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Simran Shravan Nishad

Sinhgad College of Engineering (SCOE), Puna

Simran Shravan Nishad ha verificato questa calcolatrice e altre 2 altre calcolatrici!

< 14 Resistenza Calcolatrici

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva)

Resistenza di uscita dell'amplificatore differenziale

Partire Resistenza di uscita = ((Segnale di ingresso in modalità comune*Transconduttanza)-Corrente totale)/(2*Transconduttanza*Corrente totale)

Resistenza di ingresso del Mosfet

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/(Corrente del collettore*Guadagno di corrente per piccoli segnali)

Resistenza finita tra Drain e Source

Partire Resistenza finita = modulus(Tensione continua positiva)/Assorbimento di corrente

Resistenza di uscita data la modulazione della lunghezza del canale

Partire Resistenza di uscita = 1/(Modulazione della lunghezza del canale*Assorbimento di corrente)

Percorso libero medio elettronico

Partire Percorso libero medio elettronico = 1/(Resistenza di uscita*Assorbimento di corrente)

Resistenza uscita scarico

Partire Resistenza di uscita = 1/(Percorso libero medio elettronico*Assorbimento di corrente)

Resistenza di ingresso data la transconduttanza

Partire Resistenza in ingresso = Guadagno di corrente per piccoli segnali/Transconduttanza

Resistenza di uscita data la transconduttanza

Partire Resistenza di uscita = 1/(Mobilità dei vettori*Transconduttanza)

Resistenza di uscita del Mosfet

Partire Resistenza di uscita = Tensione iniziale/Corrente del collettore

Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET

Partire Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente

Resistenza di ingresso del segnale piccolo

Partire Resistenza in ingresso = Tensione di ingresso/Corrente di base

Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

Partire Conduttanza del canale = 1/Resistenza lineare

MOSFET come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = 1/Conduttanza del canale

Resistenza dipendente dalla tensione nel MOSFET Formula

Resistenza finita = Tensione effettiva/Assorbimento di corrente
R_fi = V_eff/i_d

Quali sono le applicazioni del MOSFET?

I MOSFET hanno un'ampia gamma di applicazioni nei circuiti elettronici, tra cui l'amplificazione di segnali deboli, la commutazione di dispositivi elettronici e il controllo del flusso di corrente nei circuiti digitali. Sono utilizzati anche nell'elettronica di potenza, nei circuiti a radiofrequenza (RF) e nelle interfacce di sistemi informatici e periferiche.

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