Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno Calculadora

✖Caminho livre médio do elétron, que representa a distância média que um elétron pode percorrer sem se espalhar com impurezas, derrota ou outros obstáculos dentro do dispositivo de estado sólido.ⓘ Caminho livre médio do elétron [λ]			+10% -10%
✖O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.ⓘ Parâmetro de Transcondutância do Processo [k'_n]			+10% -10%
✖Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.ⓘ Corrente de drenagem [i_d]			+10% -10%

✖O fator de amplificação é a medida do aumento na potência de um sinal elétrico à medida que ele passa por um dispositivo. É definido como a razão entre a amplitude ou potência de saída e a amplitude de entrada.ⓘ Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno [A_f]

⎘ Cópia De

👎

Fórmula

✖

Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno

Fórmula

`"A"_{"f"} = 1/"λ"*sqrt((2*"k'"_{"n"})/"i"_{"d"})`

Exemplo

`"82.42043"=1/"2.78"*sqrt((2*"2.1A/V²")/"0.08mA")`

Calculadora

LaTeX

Redefinir

👍

Download MOSFET Fórmula PDF PDF Image

Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Fator de Amplificação = 1/Caminho livre médio do elétron*sqrt((2*Parâmetro de Transcondutância do Processo)/Corrente de drenagem)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Fator de Amplificação - O fator de amplificação é a medida do aumento na potência de um sinal elétrico à medida que ele passa por um dispositivo. É definido como a razão entre a amplitude ou potência de saída e a amplitude de entrada.
Caminho livre médio do elétron - Caminho livre médio do elétron, que representa a distância média que um elétron pode percorrer sem se espalhar com impurezas, derrota ou outros obstáculos dentro do dispositivo de estado sólido.
Parâmetro de Transcondutância do Processo - (Medido em Ampère por Volt Quadrado) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de dreno é a corrente que flui entre o dreno e os terminais de fonte de um transistor de efeito de campo (FET), que é um tipo de transistor comumente usado em circuitos eletrônicos.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Caminho livre médio do elétron: 2.78 --> Nenhuma conversão necessária
Parâmetro de Transcondutância do Processo: 2.1 Ampère por Volt Quadrado --> 2.1 Ampère por Volt Quadrado Nenhuma conversão necessária
Corrente de drenagem: 0.08 Miliamperes --> 8E-05 Ampere (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Avaliando ... ...

A_f = 82.4204261682705

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

82.4204261682705 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Fator de Amplificação

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Você está aqui -

Casa » Engenharia » Eletrônicos » MOSFET » Eletrônica Analógica » Análise de pequenos sinais » Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno

Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 15 Análise de pequenos sinais Calculadoras

Pequeno ganho de tensão de sinal em relação à resistência de entrada

Vai Ganho de tensão = (Resistência do amplificador de entrada/(Resistência do amplificador de entrada+Resistência auto-induzida))*((Resistência da Fonte*Resistência de saída)/(Resistência da Fonte+Resistência de saída))/(1/Transcondutância+((Resistência da Fonte*Resistência de saída)/(Resistência da Fonte+Resistência de saída)))

Tensão de porta para fonte em relação à resistência de pequenos sinais

Vai Tensão Crítica = Tensão de entrada*((1/Transcondutância)/((1/Transcondutância)*((Resistência da Fonte*Resistência a pequenos sinais)/(Resistência da Fonte+Resistência a pequenos sinais))))

Tensão de saída de dreno comum em sinal pequeno

Vai Voltagem de saída = Transcondutância*Tensão Crítica*((Resistência da Fonte*Resistência a pequenos sinais)/(Resistência da Fonte+Resistência a pequenos sinais))

Tensão de saída do canal P de pequeno sinal

Vai Voltagem de saída = Transcondutância*Tensão Fonte para Porta*((Resistência de saída*Resistência à drenagem)/(Resistência à drenagem+Resistência de saída))

Ganho de tensão para sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = (Transcondutância*(1/((1/Resistência de carga)+(1/Resistência à drenagem))))/(1+(Transcondutância*Resistência auto-induzida))

Ganho de tensão de pequeno sinal em relação à resistência de drenagem

Vai Ganho de tensão = (Transcondutância*((Resistência de saída*Resistência à drenagem)/(Resistência de saída+Resistência à drenagem)))

Corrente de saída de pequeno sinal

Vai Corrente de saída = (Transcondutância*Tensão Crítica)*(Resistência à drenagem/(Resistência de carga+Resistência à drenagem))

Corrente de entrada de pequeno sinal

Vai Corrente de entrada de pequeno sinal = (Tensão Crítica*((1+Transcondutância*Resistência auto-induzida)/Resistência auto-induzida))

Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = 1/Caminho livre médio do elétron*sqrt((2*Parâmetro de Transcondutância do Processo)/Corrente de drenagem)

Transcondutância dada parâmetros de pequenos sinais

Vai Transcondutância = 2*Parâmetro de Transcondutância*(Componente DC da tensão de porta para fonte-Tensão total)

Ganho de tensão usando sinal pequeno

Vai Ganho de tensão = Transcondutância*1/(1/Resistência de carga+1/Resistência Finita)

Porta para tensão de fonte em pequeno sinal

Vai Tensão Crítica = Tensão de entrada/(1+Resistência auto-induzida*Transcondutância)

Tensão de saída de sinal pequeno

Vai Voltagem de saída = Transcondutância*Tensão Fonte para Porta*Resistência de carga

Corrente de dreno do sinal pequeno MOSFET

Vai Corrente de drenagem = 1/(Caminho livre médio do elétron*Resistência de saída)

Fator de amplificação no modelo MOSFET de sinal pequeno

Vai Fator de Amplificação = Transcondutância*Resistência de saída

Fator de amplificação para modelo MOSFET de sinal pequeno Fórmula

Fator de Amplificação = 1/Caminho livre médio do elétron*sqrt((2*Parâmetro de Transcondutância do Processo)/Corrente de drenagem)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Qual é o uso da transcondutância no MOSFET?

A transcondutância é uma expressão do desempenho de um transistor bipolar ou transistor de efeito de campo (FET). Em geral, quanto maior o valor de transcondutância de um dispositivo, maior o ganho (amplificação) que ele é capaz de fornecer, quando todos os outros fatores são mantidos constantes.

Casa

LIVRE PDFs

🔍 Procurar

Categorias

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!