Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом Калькулятор

✖Среднее свободное расстояние электрона, которое представляет собой среднее расстояние, которое электрон может пройти без рассеяния на примесях, повреждениях или других препятствиях внутри твердотельного устройства.ⓘ Длина свободного пробега электрона [λ]			+10% -10%
✖Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'_n]			+10% -10%
✖Ток стока — это ток, который течет между клеммами стока и истока полевого транзистора (FET), который представляет собой тип транзистора, обычно используемый в электронных схемах.ⓘ Ток стока [i_d]			+10% -10%

✖Коэффициент усиления — это мера увеличения мощности электрического сигнала при его прохождении через устройство. Он определяется как отношение выходной амплитуды или мощности к входной амплитуде.ⓘ Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом [A_f]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом

Формула

`"A"_{"f"} = 1/"λ"*sqrt((2*"k'"_{"n"})/"i"_{"d"})`

Пример

`"82.42043"=1/"2.78"*sqrt((2*"2.1A/V²")/"0.08mA")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Коэффициент усиления = 1/Длина свободного пробега электрона*sqrt((2*Параметр крутизны процесса)/Ток стока)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Коэффициент усиления - Коэффициент усиления — это мера увеличения мощности электрического сигнала при его прохождении через устройство. Он определяется как отношение выходной амплитуды или мощности к входной амплитуде.
Длина свободного пробега электрона - Среднее свободное расстояние электрона, которое представляет собой среднее расстояние, которое электрон может пройти без рассеяния на примесях, повреждениях или других препятствиях внутри твердотельного устройства.
Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока — это ток, который течет между клеммами стока и истока полевого транзистора (FET), который представляет собой тип транзистора, обычно используемый в электронных схемах.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Длина свободного пробега электрона: 2.78 --> Конверсия не требуется
Параметр крутизны процесса: 2.1 Ампер на квадратный вольт --> 2.1 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Ток стока: 0.08 Миллиампер --> 8E-05 Ампер (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d) --> 1/2.78*sqrt((2*2.1)/8E-05)

Оценка ... ...

A_f = 82.4204261682705

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

82.4204261682705 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

82.4204261682705 ≈ 82.42043 <-- Коэффициент усиления

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Анализ малых сигналов » Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 Анализ малых сигналов Калькуляторы

Малый коэффициент усиления напряжения сигнала по отношению к входному сопротивлению

Идти Усиление напряжения = (Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Самоиндуцированное сопротивление))*((Источник сопротивления*Выходное сопротивление)/(Источник сопротивления+Выходное сопротивление))/(1/крутизна+((Источник сопротивления*Выходное сопротивление)/(Источник сопротивления+Выходное сопротивление)))

Затвор-источник напряжения с учетом сопротивления малого сигнала

Идти Критическое напряжение = Входное напряжение*((1/крутизна)/((1/крутизна)*((Источник сопротивления*Малое сопротивление сигнала)/(Источник сопротивления+Малое сопротивление сигнала))))

Выходное напряжение с общим стоком при слабом сигнале

Идти Выходное напряжение = крутизна*Критическое напряжение*((Источник сопротивления*Малое сопротивление сигнала)/(Источник сопротивления+Малое сопротивление сигнала))

Выходное напряжение P-канала малого сигнала

Идти Выходное напряжение = крутизна*От источника к напряжению затвора*((Выходное сопротивление*Сопротивление дренажу)/(Сопротивление дренажу+Выходное сопротивление))

Усиление напряжения для слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = (крутизна*(1/((1/Сопротивление нагрузки)+(1/Сопротивление дренажу))))/(1+(крутизна*Самоиндуцированное сопротивление))

Коэффициент усиления напряжения при малом сигнале относительно сопротивления стока

Идти Усиление напряжения = (крутизна*((Выходное сопротивление*Сопротивление дренажу)/(Выходное сопротивление+Сопротивление дренажу)))

Выходной ток малого сигнала

Идти Выходной ток = (крутизна*Критическое напряжение)*(Сопротивление дренажу/(Сопротивление нагрузки+Сопротивление дренажу))

Входной ток малого сигнала

Идти Входной ток малого сигнала = (Критическое напряжение*((1+крутизна*Самоиндуцированное сопротивление)/Самоиндуцированное сопротивление))

Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = 1/Длина свободного пробега электрона*sqrt((2*Параметр крутизны процесса)/Ток стока)

Крутизна при малых параметрах сигнала

Идти крутизна = 2*Параметр крутизны*(Компонент постоянного тока от затвора к напряжению источника-Общее напряжение)

Ворота к напряжению источника в слабом сигнале

Идти Критическое напряжение = Входное напряжение/(1+Самоиндуцированное сопротивление*крутизна)

Выходное напряжение малого сигнала

Идти Выходное напряжение = крутизна*От источника к напряжению затвора*Сопротивление нагрузки

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Ток стока MOSFET малого сигнала

Идти Ток стока = 1/(Длина свободного пробега электрона*Выходное сопротивление)

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Коэффициент усиления для модели MOSFET с малым сигналом формула

Коэффициент усиления = 1/Длина свободного пробега электрона*sqrt((2*Параметр крутизны процесса)/Ток стока)
A_f = 1/λ*sqrt((2*k'_n)/i_d)

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!