Ângulo de Rotação do Plano de Polarização Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Ângulo de Rotação = 1.8*Densidade do fluxo magnético*Comprimento do Médio
θ = 1.8*B*Lm
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Ângulo de Rotação - (Medido em Radiano) - O ângulo de rotação do plano de polarização refere-se à extensão pela qual a orientação do plano de polarização da luz polarizada linearmente muda.
Densidade do fluxo magnético - (Medido em Tesla) - A densidade do fluxo magnético é uma medida da força de um campo magnético.
Comprimento do Médio - (Medido em Metro) - O comprimento do meio representa a distância física que a luz percorre através de um determinado material ou meio.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Densidade do fluxo magnético: 0.35 Tesla --> 0.35 Tesla Nenhuma conversão necessária
Comprimento do Médio: 31 Metro --> 31 Metro Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
θ = 1.8*B*Lm --> 1.8*0.35*31
Avaliando ... ...
θ = 19.53
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
19.53 Radiano --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
19.53 Radiano <-- Ângulo de Rotação
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

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Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
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Verificado por Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

14 Dispositivos com componentes ópticos Calculadoras

Capacitância da Junção PN
​ Vai Capacitância de Junção = Área de Junção PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permissividade Relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensão na junção PN-(Tensão de polarização reversa))*((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração do aceitante+Concentração de Doadores)))
Concentração de elétrons sob condição desequilibrada
​ Vai Concentração de elétrons = Concentração Intrínseca de Elétrons*exp((Nível de elétrons quase Fermi-Nível de energia intrínseca do semicondutor)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
Comprimento de difusão da região de transição
​ Vai Comprimento de difusão da região de transição = Corrente óptica/(Cobrar*Área de Junção PN*Taxa de geração óptica)-(Largura da transição+Comprimento da junção do lado P)
Corrente devido à portadora gerada opticamente
​ Vai Corrente óptica = Cobrar*Área de Junção PN*Taxa de geração óptica*(Largura da transição+Comprimento de difusão da região de transição+Comprimento da junção do lado P)
Retardo de Pico
​ Vai Retardo de Pico = (2*pi)/Comprimento de onda da luz*Comprimento da fibra*Índice de refração^3*Tensão de modulação
Ângulo Máximo de Aceitação da Lente Composta
​ Vai Ângulo de aceitação = asin(Índice de refração do meio 1*Raio da lente*sqrt(Constante Positiva))
Densidade Efetiva de Estados na Banda de Condução
​ Vai Densidade Efetiva de Estados = 2*(2*pi*Massa Efetiva do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[hP]^2)^(3/2)
Coeficiente de difusão de elétrons
​ Vai Coeficiente de difusão eletrônica = Mobilidade do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[Charge-e]
Difração usando a fórmula de Fresnel-Kirchoff
​ Vai Ângulo de difração = asin(1.22*Comprimento de onda da luz visível/Diâmetro da abertura)
Espaçamento de franja dado ângulo de vértice
​ Vai Espaço Franja = Comprimento de onda da luz visível/(2*tan(Ângulo de Interferência))
Ângulo Brewsters
​ Vai Ângulo de Brewster = arctan(Índice de refração do meio 1/Índice de refração)
Energia de excitação
​ Vai Energia de excitação = 1.6*10^-19*13.6*(Massa Efetiva do Elétron/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Ângulo de Rotação do Plano de Polarização
​ Vai Ângulo de Rotação = 1.8*Densidade do fluxo magnético*Comprimento do Médio
Ângulo Apex
​ Vai Ângulo do ápice = tan(Alfa)

Ângulo de Rotação do Plano de Polarização Fórmula

Ângulo de Rotação = 1.8*Densidade do fluxo magnético*Comprimento do Médio
θ = 1.8*B*Lm

Quais são as aplicações práticas do ângulo de rotação em tecnologias do mundo real?

O efeito Faraday e o ângulo de rotação são usados em dispositivos magneto-ópticos, como isoladores Faraday e moduladores magneto-ópticos, que encontram aplicações em telecomunicações, sistemas laser e instrumentação óptica.

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