Ângulo Apex Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Ângulo do ápice = tan(Alfa)
A = tan(α)
Esta fórmula usa 1 Funções, 2 Variáveis
Funções usadas
tan - A tangente de um ângulo é uma razão trigonométrica entre o comprimento do lado oposto a um ângulo e o comprimento do lado adjacente a um ângulo em um triângulo retângulo., tan(Angle)
Variáveis Usadas
Ângulo do ápice - (Medido em Radiano) - Ângulo do ápice é o ângulo entre as linhas que definem o ápice que está apontado para a ponta de um cone.
Alfa - Alfa é o parâmetro que pode variar dependendo do dispositivo ou aplicativo específico em consideração.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Alfa: -3 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
A = tan(α) --> tan((-3))
Avaliando ... ...
A = 0.142546543074278
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.142546543074278 Radiano -->8.16731530233745 Grau (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
8.16731530233745 8.167315 Grau <-- Ângulo do ápice
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

14 Dispositivos com componentes ópticos Calculadoras

Capacitância da Junção PN
​ Vai Capacitância de Junção = Área de Junção PN/2*sqrt((2*[Charge-e]*Permissividade Relativa*[Permitivity-silicon])/(Tensão na junção PN-(Tensão de polarização reversa))*((Concentração do aceitante*Concentração de Doadores)/(Concentração do aceitante+Concentração de Doadores)))
Concentração de elétrons sob condição desequilibrada
​ Vai Concentração de elétrons = Concentração Intrínseca de Elétrons*exp((Nível de elétrons quase Fermi-Nível de energia intrínseca do semicondutor)/([BoltZ]*Temperatura absoluta))
Comprimento de difusão da região de transição
​ Vai Comprimento de difusão da região de transição = Corrente óptica/(Cobrar*Área de Junção PN*Taxa de geração óptica)-(Largura da transição+Comprimento da junção do lado P)
Corrente devido à portadora gerada opticamente
​ Vai Corrente óptica = Cobrar*Área de Junção PN*Taxa de geração óptica*(Largura da transição+Comprimento de difusão da região de transição+Comprimento da junção do lado P)
Retardo de Pico
​ Vai Retardo de Pico = (2*pi)/Comprimento de onda da luz*Comprimento da fibra*Índice de refração^3*Tensão de modulação
Ângulo Máximo de Aceitação da Lente Composta
​ Vai Ângulo de aceitação = asin(Índice de refração do meio 1*Raio da lente*sqrt(Constante Positiva))
Densidade Efetiva de Estados na Banda de Condução
​ Vai Densidade Efetiva de Estados = 2*(2*pi*Massa Efetiva do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[hP]^2)^(3/2)
Coeficiente de difusão de elétrons
​ Vai Coeficiente de difusão eletrônica = Mobilidade do Elétron*[BoltZ]*Temperatura absoluta/[Charge-e]
Difração usando a fórmula de Fresnel-Kirchoff
​ Vai Ângulo de difração = asin(1.22*Comprimento de onda da luz visível/Diâmetro da abertura)
Espaçamento de franja dado ângulo de vértice
​ Vai Espaço Franja = Comprimento de onda da luz visível/(2*tan(Ângulo de Interferência))
Ângulo Brewsters
​ Vai Ângulo de Brewster = arctan(Índice de refração do meio 1/Índice de refração)
Energia de excitação
​ Vai Energia de excitação = 1.6*10^-19*13.6*(Massa Efetiva do Elétron/[Mass-e])*(1/[Permitivity-silicon]^2)
Ângulo de Rotação do Plano de Polarização
​ Vai Ângulo de Rotação = 1.8*Densidade do fluxo magnético*Comprimento do Médio
Ângulo Apex
​ Vai Ângulo do ápice = tan(Alfa)

Ângulo Apex Fórmula

Ângulo do ápice = tan(Alfa)
A = tan(α)

O que é recombinação de elétrons?

Processo no qual um elétron, que foi excitado da banda de valência para a banda de condução de um semicondutor, cai de volta em um estado vazio na banda de valência, que é conhecido como buraco.

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