Frequência portadora na linha espectral Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição
fc = fsl-Ns*fr
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Frequência da portadora - (Medido em Hertz) - A frequência portadora refere-se à frequência central de uma linha espectral que transporta informações sobre um fenômeno físico específico, como a emissão ou absorção de luz por átomos ou moléculas.
Frequência da Linha Espectral - (Medido em Hertz) - Frequência da linha espectral é a frequência específica na qual um átomo, molécula ou outra substância absorve ou emite radiação eletromagnética.
Número de amostras - O número de amostras de um sinal de tempo contínuo é o total de amostras no sinal de amostra de saída.
Frequência de repetição - (Medido em Hertz) - Frequência de repetição refere-se à frequência na qual uma forma de onda ou sinal se repete ao longo do tempo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência da Linha Espectral: 10.25 Hertz --> 10.25 Hertz Nenhuma conversão necessária
Número de amostras: 5 --> Nenhuma conversão necessária
Frequência de repetição: 1.43 Hertz --> 1.43 Hertz Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
fc = fsl-Ns*fr --> 10.25-5*1.43
Avaliando ... ...
fc = 3.1
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.1 Hertz --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
3.1 Hertz <-- Frequência da portadora
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

20 Tubo de Feixe Calculadoras

Tensão de microondas em Buncher Gap
Vai Tensão de microondas no Buncher Gap = (Amplitude do sinal/(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Tempo médio de trânsito))*(cos(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Inserindo hora)-cos(Frequência Angular Ressonante+(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Distância da lacuna de Buncher)/Velocidade do elétron))
Potência de saída de RF
Vai Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)
Tensão do repelente
Vai Tensão do repelente = sqrt((8*Frequência angular^2*Comprimento do espaço de deriva^2*Tensão de feixe pequeno)/((2*pi*Número de oscilação)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensão de feixe pequeno
Esgotamento total para sistema WDM
Vai Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)
Perda média de potência no ressonador
Vai Perda média de potência no ressonador = (Resistência superficial do ressonador/2)*(int(((Valor de pico de intensidade magnética tangencial)^2)*x,x,0,Raio do ressonador))
Frequência de Plasma
Vai Frequência Plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidade de carga eletrônica DC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energia total armazenada no ressonador
Vai Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)
Profundidade da Pele
Vai Profundidade da pele = sqrt(Resistividade/(pi*Permeabilidade relativa*Frequência))
Densidade total da corrente do feixe de elétrons
Vai Densidade total da corrente do feixe de elétrons = -Densidade de corrente do feixe CC+Perturbação instantânea da corrente do feixe de RF
Frequência portadora na linha espectral
Vai Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição
Velocidade total do elétron
Vai Velocidade total do elétron = Velocidade do elétron DC+Perturbação instantânea da velocidade do elétron
Densidade total de carga
Vai Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea
Frequência Plasmática Reduzida
Vai Frequência Plasmática Reduzida = Frequência Plasmática*Fator de redução de carga espacial
Energia obtida da fonte de alimentação CC
Vai Fonte de alimentação CC = Energia gerada no circuito anódico/Eficiência Eletrônica
Potência Gerada no Circuito Ânodo
Vai Energia gerada no circuito anódico = Fonte de alimentação CC*Eficiência Eletrônica
Ganho máximo de tensão na ressonância
Vai Ganho máximo de tensão na ressonância = Transcondutância/Condutância
Potência de pico de pulso de microondas retangular
Vai Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho
Perda de retorno
Vai Perda de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexão)
Alimentação CA fornecida pela tensão do feixe
Vai Fonte de alimentação CA = (Tensão*Atual)/2
Energia DC fornecida pela tensão do feixe
Vai Fonte de alimentação CC = Tensão*Atual

Frequência portadora na linha espectral Fórmula

Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição
fc = fsl-Ns*fr

O que significa frequência de linha espectral?

O termo "frequência da linha espectral" refere-se à frequência da radiação eletromagnética (como luz ou ondas de rádio) associada a uma linha espectral específica. As linhas espectrais são linhas discretas em um espectro que correspondem a comprimentos de onda ou frequências específicas de luz emitida ou absorvida por átomos ou moléculas.

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