Potência de pico de pulso de microondas retangular Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho
Ppk = Pavg/D
Esta fórmula usa 3 Variáveis
Variáveis Usadas
Potência de pico de pulso - (Medido em Watt) - Pulse Peak Power Enhancement na potência de pico de microondas de 6,2 dB com uma duração de pulso de 2,7.
Potencia média - (Medido em Watt) - A potência média é definida como a razão entre o trabalho total realizado pelo corpo e o tempo total gasto pelo corpo.
Ciclo de trabalho - Ciclo de trabalho ou ciclo de potência é a fração de um período em que um sinal ou sistema está ativo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Potencia média: 15 Quilowatt --> 15000 Watt (Verifique a conversão ​aqui)
Ciclo de trabalho: 0.6 --> Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ppk = Pavg/D --> 15000/0.6
Avaliando ... ...
Ppk = 25000
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
25000 Watt -->25 Quilowatt (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
25 Quilowatt <-- Potência de pico de pulso
(Cálculo concluído em 00.021 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Shobhit Dimri
Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

20 Tubo de Feixe Calculadoras

Tensão de microondas em Buncher Gap
​ Vai Tensão de microondas no Buncher Gap = (Amplitude do sinal/(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Tempo médio de trânsito))*(cos(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Inserindo hora)-cos(Frequência Angular Ressonante+(Frequência Angular da Tensão de Microondas*Distância da lacuna de Buncher)/Velocidade do elétron))
Potência de saída de RF
​ Vai Potência de saída de RF = Potência de entrada RF*exp(-2*Constante de atenuação de RF*Comprimento do circuito RF)+int((Energia RF gerada/Comprimento do circuito RF)*exp(-2*Constante de atenuação de RF*(Comprimento do circuito RF-x)),x,0,Comprimento do circuito RF)
Tensão do repelente
​ Vai Tensão do repelente = sqrt((8*Frequência angular^2*Comprimento do espaço de deriva^2*Tensão de feixe pequeno)/((2*pi*Número de oscilação)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tensão de feixe pequeno
Esgotamento total para sistema WDM
​ Vai Esgotamento total para um sistema WDM = sum(x,2,Número de canais,Coeficiente de Ganho Raman*Potência do canal*Comprimento efetivo/Área Efetiva)
Perda média de potência no ressonador
​ Vai Perda média de potência no ressonador = (Resistência superficial do ressonador/2)*(int(((Valor de pico de intensidade magnética tangencial)^2)*x,x,0,Raio do ressonador))
Frequência de Plasma
​ Vai Frequência Plasmática = sqrt(([Charge-e]*Densidade de carga eletrônica DC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Energia total armazenada no ressonador
​ Vai Energia total armazenada no ressonador = int((Permissividade do Meio/2*Intensidade do Campo Elétrico^2)*x,x,0,Volume do ressonador)
Profundidade da Pele
​ Vai Profundidade da pele = sqrt(Resistividade/(pi*Permeabilidade relativa*Frequência))
Densidade total da corrente do feixe de elétrons
​ Vai Densidade total da corrente do feixe de elétrons = -Densidade de corrente do feixe CC+Perturbação instantânea da corrente do feixe de RF
Frequência portadora na linha espectral
​ Vai Frequência da portadora = Frequência da Linha Espectral-Número de amostras*Frequência de repetição
Velocidade total do elétron
​ Vai Velocidade total do elétron = Velocidade do elétron DC+Perturbação instantânea da velocidade do elétron
Densidade total de carga
​ Vai Densidade total de carga = -Densidade de carga eletrônica DC+Densidade de carga RF instantânea
Frequência Plasmática Reduzida
​ Vai Frequência Plasmática Reduzida = Frequência Plasmática*Fator de redução de carga espacial
Energia obtida da fonte de alimentação CC
​ Vai Fonte de alimentação CC = Energia gerada no circuito anódico/Eficiência Eletrônica
Potência Gerada no Circuito Ânodo
​ Vai Energia gerada no circuito anódico = Fonte de alimentação CC*Eficiência Eletrônica
Ganho máximo de tensão na ressonância
​ Vai Ganho máximo de tensão na ressonância = Transcondutância/Condutância
Potência de pico de pulso de microondas retangular
​ Vai Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho
Perda de retorno
​ Vai Perda de retorno = -20*log10(Coeficiente de reflexão)
Alimentação CA fornecida pela tensão do feixe
​ Vai Fonte de alimentação CA = (Tensão*Atual)/2
Energia DC fornecida pela tensão do feixe
​ Vai Fonte de alimentação CC = Tensão*Atual

Potência de pico de pulso de microondas retangular Fórmula

Potência de pico de pulso = Potencia média/Ciclo de trabalho
Ppk = Pavg/D

O que é pulso de microondas?

Um pulso de micro-ondas refere-se a uma pequena explosão ou pacote de radiação de micro-ondas. Os pulsos de microondas são frequentemente gerados usando fontes de microondas, como clístrons, magnetrons ou dispositivos de estado sólido.

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