Corrente de drenagem na região de saturação do transistor PMOS Calculadora

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS*Proporção da tela*(Tensão entre Gate e Source-modulus(Tensão de limiar))^2
I_ds = 1/2*k'_p*WL*(V_GS-modulus(V_T))^2
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis
modulus - O módulo de um número é o resto quando esse número é dividido por outro número., modulusCorrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno de saturação abaixo da tensão limite é definida como a corrente abaixo do limite e varia exponencialmente com a tensão do portão para a fonte.
Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS - (Medido em Siemens) - O Parâmetro de Transcondutância do Processo em PMOS (PTM) é um parâmetro usado na modelagem de dispositivos semicondutores para caracterizar o desempenho de um transistor.
Proporção da tela - A relação de aspecto é definida como a relação entre a largura do canal do transistor e seu comprimento. É a razão entre a largura do portão e a distância entre a fonte
Tensão entre Gate e Source - (Medido em Volt) - A tensão entre porta e fonte de um transistor de efeito de campo (FET) é conhecida como tensão porta-fonte (VGS). É um parâmetro importante que afeta a operação do FET.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limiar, também conhecida como tensão limiar da porta ou simplesmente Vth, é um parâmetro crítico na operação dos transistores de efeito de campo, que são componentes fundamentais da eletrônica moderna.

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)