| ✖Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса в PMOS [k'p] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.ⓘ Напряжение между затвором и источником [VGS] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [VT] |  |  | +10% -10% |