Drenar corrente de saturação do MOSFET Calculadora

✖A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte.ⓘ Processo de Transcondutância em PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).ⓘ Largura de banda [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).ⓘ Comprimento do canal [L]			+10% -10%
✖A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.ⓘ Tensão Efetiva [V_eff]			+10% -10%

✖A corrente de dreno de saturação é um parâmetro importante no projetoⓘ Drenar corrente de saturação do MOSFET [I_d(sat)]

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Fórmula

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Drenar corrente de saturação do MOSFET

Fórmula

`"I"_{"d(sat)"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"eff"})^2`

Exemplo

`"0.08381mA"=1/2*"0.58mS"*"10μm"/"100μm"*("1.7V")^2`

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Drenar corrente de saturação do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de drenagem de saturação - (Medido em Ampere) - A corrente de dreno de saturação é um parâmetro importante no projeto
Processo de Transcondutância em PMOS - (Medido em Siemens) - A transcondutância do processo em PMOS refere-se ao ganho de um transistor PMOS em relação à sua tensão de porta-fonte.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
Tensão Efetiva - (Medido em Volt) - A tensão efetiva em um MOSFET (transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico) é a tensão que determina o comportamento do dispositivo. Também é conhecida como tensão porta-fonte.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Processo de Transcondutância em PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do canal: 100 Micrômetro --> 0.0001 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão Efetiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Avaliando ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

8.381E-05 Ampere -->0.08381 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.08381 Miliamperes <-- Corrente de drenagem de saturação

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 12 Atual Calculadoras

Corrente de segundo dreno do MOSFET na operação de sinal grande

Vai Drenar Corrente 2 = Corrente de polarização DC/2-Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-(Sinal de entrada diferencial)^2/(4*Tensão Overdrive^2))

Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande

Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2*sqrt(1-Sinal de entrada diferencial^2/(4*Tensão Overdrive^2))

Drenar corrente de saturação do MOSFET

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2

Corrente de drenagem instantânea

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Componente DC da tensão de porta para fonte-Tensão total+Tensão Crítica)^2

Primeira corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande dada a tensão de overdrive

Vai Drenar corrente 1 = Corrente de polarização DC/2+Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2

Corrente de segundo dreno do MOSFET na operação de sinal grande, dada a tensão de overdrive

Vai Drenar Corrente 2 = Corrente de polarização DC/2-Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive*Sinal de entrada diferencial/2

Corrente de dreno sem modulação de comprimento de canal de MOSFET

Vai Corrente de drenagem = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Proporção da tela*(Tensão Gate-Fonte-Tensão de limiar)^2

Corrente de dreno do MOSFET na operação de sinal grande, dada a tensão de overdrive

Vai Corrente de drenagem = (Corrente de polarização DC/Tensão Overdrive)*(Sinal de entrada diferencial/2)

Drenar a corrente na linha de carga

Vai Corrente de drenagem = (Tensão de alimentação-Tensão da Fonte de Dreno)/Resistência de carga

Corrente de drenagem instantânea em relação ao componente DC de Vgs

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*((Tensão Crítica-Tensão total)^2)

Corrente na rejeição de modo comum do MOSFET

Vai Corrente Total = Sinal Incremental/((1/Transcondutância)+(2*Resistência de saída))

Corrente de curto-circuito do MOSFET

Vai Corrente de saída = Transcondutância*Tensão Gate-Fonte

Drenar corrente de saturação do MOSFET Fórmula

Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Processo de Transcondutância em PMOS*Largura de banda/Comprimento do canal*(Tensão Efetiva)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

O que é a corrente de saturação do dreno?

Uma camada de depleção localizada na extremidade do dreno da porta acomoda a tensão dreno para a fonte adicional. Este comportamento é conhecido como saturação de corrente de dreno. O modelo quadrático explica as características típicas de corrente-tensão de um MOSFET, que são normalmente plotadas para diferentes tensões porta-fonte.

Quanta corrente um MOSFET pode suportar?

MOSFETs de alta amperagem como o 511-STP200N3LL dizem que podem lidar com 120 Amps de corrente. O Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou MOSFET para abreviar, tem uma resistência de porta de entrada extremamente alta com a corrente fluindo através do canal entre a fonte e o dreno é controlada pela tensão de porta.

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