Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET calcolatrice

✖La transconduttanza di processo in PMOS si riferisce al guadagno di un transistor PMOS rispetto alla sua tensione gate-source.ⓘ Transconduttanza di processo in PMOS [k'_p]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.ⓘ Tensione effettiva [V_eff]			+10% -10%

✖La corrente di drain di saturazione è un parametro importante nella progettazioneⓘ Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET [I_d(sat)]

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Formula

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Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

Formula

`"I"_{"d(sat)"} = 1/2*"k'"_{"p"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"eff"})^2`

Esempio

`"0.08381mA"=1/2*"0.58mS"*"10μm"/"100μm"*("1.7V")^2`

Calcolatrice

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Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Corrente di scarico di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain di saturazione è un parametro importante nella progettazione
Transconduttanza di processo in PMOS - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza di processo in PMOS si riferisce al guadagno di un transistor PMOS rispetto alla sua tensione gate-source.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Tensione effettiva - (Misurato in Volt) - La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza di processo in PMOS: 0.58 Millisiemens --> 0.00058 Siemens (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 100 Micrometro --> 0.0001 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione effettiva: 1.7 Volt --> 1.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2 --> 1/2*0.00058*1E-05/0.0001*(1.7)^2

Valutare ... ...

I_d(sat) = 8.381E-05

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

8.381E-05 Ampere -->0.08381 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

0.08381 Millampere <-- Corrente di scarico di saturazione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 12 Attuale Calcolatrici

Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-Segnale di ingresso differenziale^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2*sqrt(1-(Segnale di ingresso differenziale)^2/(4*Tensione di overdrive^2))

Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

Partire Assorbimento di corrente 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2

Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2

Corrente di scarico istantanea

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2

Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

Partire Scarica corrente 2 = Corrente di polarizzazione CC/2-Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2

Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

Partire Assorbimento di corrente = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2

Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

Partire Assorbimento di corrente = (Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive)*(Segnale di ingresso differenziale/2)

Scaricare la corrente nella linea di carico

Partire Assorbimento di corrente = (Tensione di alimentazione-Scaricare la tensione della sorgente)/Resistenza al carico

Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2)

Corrente nel rifiuto di modo comune del MOSFET

Partire Corrente totale = Segnale incrementale/((1/Transconduttanza)+(2*Resistenza di uscita))

Corrente di cortocircuito del MOSFET

Partire Corrente di uscita = Transconduttanza*Tensione gate-source

Assorbimento della corrente di saturazione del MOSFET Formula

Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione effettiva)^2
I_d(sat) = 1/2*k'_p*W_c/L*(V_eff)^2

Cos'è la corrente di saturazione dello scarico?

Uno strato di esaurimento situato all'estremità di pozzo del gate ospita la tensione aggiuntiva da pozzo a sorgente. Questo comportamento è denominato saturazione della corrente di drenaggio. Il modello quadratico spiega le tipiche caratteristiche corrente-tensione di un MOSFET, che sono normalmente tracciate per tensioni gate-source diverse.

Quanta corrente può gestire un MOSFET?

MOSFET ad alto amperaggio come il 511-STP200N3LL dicono di poter gestire 120 Amp di corrente. Il transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo, o MOSFET in breve, ha una resistenza di gate di ingresso estremamente elevata con la corrente che fluisce attraverso il canale tra la sorgente e il drenaggio è controllata dalla tensione di gate.

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