Densidade de corrente de elétrons Calculadora

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Portadores de semicondutores

✖A densidade total da corrente portadora é definida como a quantidade de carga por unidade de tempo que flui através de uma unidade de área de uma seção transversal escolhida.ⓘ Densidade total de corrente portadora [J_T]			+10% -10%
✖A densidade de corrente de buraco é definida como o movimento dos buracos é sempre oposto ao dos elétrons correspondentes.ⓘ Densidade atual do furo [J_h]			+10% -10%

✖A densidade de corrente de elétrons, conhecida como densidade de corrente, é uma quantidade física que descreve o fluxo de carga elétrica por unidade de área através de um material condutor.ⓘ Densidade de corrente de elétrons [J_e]

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Fórmula

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Densidade de corrente de elétrons

Fórmula

`"J"_{"e"} = "J"_{"T"}-"J"_{"h"}`

Exemplo

`"0.03A/m²"="0.12A/m²"-"0.09A/m²"`

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Densidade de corrente de elétrons Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo
J_e = J_T-J_h
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Densidade de Corrente Eletrônica - (Medido em Ampere por Metro Quadrado) - A densidade de corrente de elétrons, conhecida como densidade de corrente, é uma quantidade física que descreve o fluxo de carga elétrica por unidade de área através de um material condutor.
Densidade total de corrente portadora - (Medido em Ampere por Metro Quadrado) - A densidade total da corrente portadora é definida como a quantidade de carga por unidade de tempo que flui através de uma unidade de área de uma seção transversal escolhida.
Densidade atual do furo - (Medido em Ampere por Metro Quadrado) - A densidade de corrente de buraco é definida como o movimento dos buracos é sempre oposto ao dos elétrons correspondentes.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Densidade total de corrente portadora: 0.12 Ampere por Metro Quadrado --> 0.12 Ampere por Metro Quadrado Nenhuma conversão necessária
Densidade atual do furo: 0.09 Ampere por Metro Quadrado --> 0.09 Ampere por Metro Quadrado Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

J_e = J_T-J_h --> 0.12-0.09

Avaliando ... ...

J_e = 0.03

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.03 Ampere por Metro Quadrado --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.03 Ampere por Metro Quadrado <-- Densidade de Corrente Eletrônica

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnologia Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri criou esta calculadora e mais 900+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 18 Elétrons Calculadoras

Função de onda dependente de Phi

Vai Φ Função de Onda Dependente = (1/sqrt(2*pi))*(exp(Número Quântico da Onda*Ângulo da Função de Onda))

Ordem de Difração

Vai Ordem de difração = (2*Espaço de enxerto*sin(Ângulo de incidência))/Comprimento de onda do raio

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Significa caminho livre

Vai Elétron de caminho livre médio = (Densidade do fluxo de elétrons/(Diferença na concentração de elétrons))*2*Tempo

Componente de furo

Vai Componente do furo = Componente Eletrônico*Eficiência de Injeção do Emissor/(1-Eficiência de Injeção do Emissor)

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Condutância CA

Vai Condutância CA = ([Charge-e]/([BoltZ]*Temperatura))*Corrente elétrica

Componente Eletrônico

Vai Componente Eletrônico = ((Componente do furo)/Eficiência de Injeção do Emissor)-Componente do furo

Densidade de corrente total da portadora

Vai Densidade total de corrente portadora = Densidade de Corrente Eletrônica+Densidade atual do furo

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Diferença na concentração de elétrons

Vai Diferença na concentração de elétrons = Concentração de elétrons 1-Concentração de elétrons 2

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Elétron fora da região

Vai Número de elétrons fora da região = Multiplicação de elétrons*Número de elétrons na região

Elétron na região

Vai Número de elétrons na região = Número de elétrons fora da região/Multiplicação de elétrons

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Amplitude da Função de Onda

Vai Amplitude da função de onda = sqrt(2/Comprimento potencial do poço)

< 15 Portadores de semicondutores Calculadoras

Concentração de Portadores Intrínsecos

Vai Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))

Tempo de vida da transportadora

Vai Vida útil da operadora = 1/(Proporcionalidade para recombinação*(Concentração de Buracos na Banda de Valência+Concentração de elétrons na banda de condução))

estado quântico

Vai Energia no Estado Quântico = (Número quântico^2*pi^2*[hP]^2)/(2*massa de partícula*Comprimento potencial do poço^2)

Densidade de fluxo de elétrons

Vai Densidade do fluxo de elétrons = (Elétron de caminho livre médio/(2*Tempo))*Diferença na concentração de elétrons

Raio da Nésima Órbita do Elétron

Vai Raio da enésima órbita do elétron = ([Coulomb]*Número quântico^2*[hP]^2)/(massa de partícula*[Charge-e]^2)

Estado de densidade efetiva na banda de valência

Vai Densidade efetiva de estado na banda de valência = Concentração de Buracos na Banda de Valência/(1-Função Fermi)

Função Fermi

Vai Função Fermi = Concentração de elétrons na banda de condução/Densidade efetiva de estado na banda de condução

Coeficiente de Distribuição

Vai Coeficiente de distribuição = Concentração de Impurezas no Sólido/Concentração de impurezas no líquido

Densidade de corrente de elétrons

Vai Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo

Densidade de corrente de furo

Vai Densidade atual do furo = Densidade total de corrente portadora-Densidade de Corrente Eletrônica

Excesso de concentração de portador

Vai Concentração de Transportador em Excesso = Taxa de geração óptica*Tempo de vida de recombinação

Multiplicação de elétrons

Vai Multiplicação de elétrons = Número de elétrons fora da região/Número de elétrons na região

Tempo médio gasto por buraco

Vai Tempo médio gasto por buraco = Taxa de geração óptica*Decaimento do portador majoritário

Energia da Banda de Condução

Vai Energia da Banda de Condução = Diferença de energia+Energia da Banda de Valência

Energia fotoelétron

Vai Energia fotoelétron = [hP]*Frequência da Luz Incidente

Densidade de corrente de elétrons Fórmula

Densidade de Corrente Eletrônica = Densidade total de corrente portadora-Densidade atual do furo
J_e = J_T-J_h

O que é densidade de corrente eletrônica?

A quantidade de corrente elétrica viajando por unidade de área de seção transversal é chamada de densidade de corrente e expressa em amperes por metro quadrado. Mais a corrente em um condutor, maior será a densidade de corrente. No entanto, a densidade de corrente se altera em diferentes partes de um condutor elétrico e o efeito ocorre com correntes alternadas em frequências mais altas.

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