Corrente de drenagem da região ôhmica do FET Calculadora

✖FET de condutância do canal é a medida de quão bem o canal de um FET conduz a corrente. É determinado pela mobilidade dos portadores de carga no canal.ⓘ FET de condutância do canal [G_o(fet)]			+10% -10%
✖Tensão da fonte de drenagem FET é a tensão entre o dreno e o terminal de fonte de um FET.ⓘ Tensão da fonte de drenagem FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Potencial de Superfície O FET opera com base no potencial de superfície do canal semicondutor, controlando o fluxo de corrente através de uma tensão de porta sem gerar camadas de inversão.ⓘ Potencial de superfície FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖Tensão Pinch OFF é a tensão na qual o canal de um transistor de efeito de campo (FET) se torna tão estreito que fecha efetivamente, evitando qualquer fluxo adicional de corrente.ⓘ Aperte a tensão [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Corrente de drenagem FET é a corrente que flui através da junção de drenagem do FET.ⓘ Corrente de drenagem da região ôhmica do FET [I_d(fet)]

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Fórmula

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Corrente de drenagem da região ôhmica do FET

Fórmula

`"I"_{"d(fet)"} = "G"_{"o(fet)"}*("V"_{"ds(fet)"}+3/2*(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"}-"V"_{"ds(fet)"})^(3/2)-("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"})^(3/2))/(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"off(fet)"})^(1/2)))`

Exemplo

`"0.305501mA"="0.24mS"*("4.8V"+3/2*(("4.976V"+"4.8V"-"4.8V")^(3/2)-("4.976V"+"4.8V")^(3/2))/(("4.976V"+"63.56V")^(1/2)))`

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Corrente de drenagem da região ôhmica do FET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Drenar FET atual = FET de condutância do canal*(Tensão da fonte de drenagem FET+3/2*((Potencial de superfície FET+Tensão da fonte de drenagem FET-Tensão da fonte de drenagem FET)^(3/2)-(Potencial de superfície FET+Tensão da fonte de drenagem FET)^(3/2))/((Potencial de superfície FET+Aperte a tensão)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Drenar FET atual - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem FET é a corrente que flui através da junção de drenagem do FET.
FET de condutância do canal - (Medido em Siemens) - FET de condutância do canal é a medida de quão bem o canal de um FET conduz a corrente. É determinado pela mobilidade dos portadores de carga no canal.
Tensão da fonte de drenagem FET - (Medido em Volt) - Tensão da fonte de drenagem FET é a tensão entre o dreno e o terminal de fonte de um FET.
Potencial de superfície FET - (Medido em Volt) - Potencial de Superfície O FET opera com base no potencial de superfície do canal semicondutor, controlando o fluxo de corrente através de uma tensão de porta sem gerar camadas de inversão.
Aperte a tensão - (Medido em Volt) - Tensão Pinch OFF é a tensão na qual o canal de um transistor de efeito de campo (FET) se torna tão estreito que fecha efetivamente, evitando qualquer fluxo adicional de corrente.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

FET de condutância do canal: 0.24 Millisiemens --> 0.00024 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Tensão da fonte de drenagem FET: 4.8 Volt --> 4.8 Volt Nenhuma conversão necessária
Potencial de superfície FET: 4.976 Volt --> 4.976 Volt Nenhuma conversão necessária
Aperte a tensão: 63.56 Volt --> 63.56 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))

Avaliando ... ...

I_d(fet) = 0.000305501451597179

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.000305501451597179 Ampere -->0.305501451597179 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

0.305501451597179 ≈ 0.305501 Miliamperes <-- Drenar FET atual

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 500+ calculadoras!

< 8 FET Calculadoras

Corrente de drenagem da região ôhmica do FET

Vai Drenar FET atual = FET de condutância do canal*(Tensão da fonte de drenagem FET+3/2*((Potencial de superfície FET+Tensão da fonte de drenagem FET-Tensão da fonte de drenagem FET)^(3/2)-(Potencial de superfície FET+Tensão da fonte de drenagem FET)^(3/2))/((Potencial de superfície FET+Aperte a tensão)^(1/2)))

Tensão da fonte de drenagem do FET

Vai Tensão da fonte de drenagem FET = Tensão de alimentação no dreno FET-Drenar FET atual*(FET de resistência à drenagem+FET de resistência de fonte)

Transcondutância de FET

Vai FET de transcondutância direta = (2*Corrente de drenagem de polarização zero)/Aperte a tensão*(1-Tensão da fonte de drenagem FET/Aperte a tensão)

Capacitância da fonte de porta do FET

Vai FET de capacitância da fonte de porta = Tempo de desligamento da capacitância da fonte da porta FET/(1-(Tensão da fonte de drenagem FET/Potencial de superfície FET))^(1/3)

Capacitância de drenagem do portão do FET

Vai Capacitância de drenagem da porta FET = Tempo de desligamento da capacitância de drenagem da porta FET/(1-Porta para Drenar Tensão FET/Potencial de superfície FET)^(1/3)

Corrente de drenagem do FET

Vai Drenar FET atual = Corrente de drenagem de polarização zero*(1-Tensão da fonte de drenagem FET/Tensão de corte FET)^2

Corte a tensão do FET

Vai Aperte a tensão = Aperte a tensão da fonte de drenagem FET-Tensão da fonte de drenagem FET

Ganho de tensão do FET

Vai Ganho de tensão FET = -FET de transcondutância direta*FET de resistência à drenagem