Corrente de drenagem da região ôhmica do FET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Corrente de drenagem = Condutância do Canal*(Drenar para a tensão da fonte+3/2*((psi+Ganho para tensão da fonte-Drenar para a tensão da fonte)^(3/2)-(psi+Ganho para tensão da fonte)^(3/2))/((psi+Aperte a tensão)^(1/2)))
Id = Go*(Vds+3/2*((Ψ0+V(g-s)-Vds)^(3/2)-(Ψ0+V(g-s))^(3/2))/((Ψ0+Voff)^(1/2)))
Esta fórmula usa 6 Variáveis
Variáveis Usadas
Corrente de drenagem - (Medido em Ampere) - Corrente de drenagem é a corrente que flui através da junção de drenagem do MOSFET e IGBT.
Condutância do Canal - (Medido em Siemens) - A condutância do canal é a medida de quão bem o canal de um FET conduz a corrente. É determinado pela mobilidade dos portadores de carga no canal.
Drenar para a tensão da fonte - (Medido em Volt) - A tensão de drenagem para fonte controla o fluxo de corrente através do JFET. Quanto maior a tensão dreno-fonte, mais corrente fluirá através do JFET.
psi - (Medido em Pascal) - Psi (ψ) é o potencial de superfície de um FET. É a diferença de potencial entre a superfície do semicondutor e o semicondutor a granel.
Ganho para tensão da fonte - (Medido em Volt) - O ganho para a tensão da fonte de um JFET é a razão entre a mudança na tensão do dreno e a mudança na tensão da fonte.
Aperte a tensão - (Medido em Volt) - Tensão Pinch OFF é a tensão na qual o canal de um transistor de efeito de campo (FET) se torna tão estreito que fecha efetivamente, evitando qualquer fluxo adicional de corrente.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Condutância do Canal: 0.00167 Siemens --> 0.00167 Siemens Nenhuma conversão necessária
Drenar para a tensão da fonte: 0.2 Volt --> 0.2 Volt Nenhuma conversão necessária
psi: 0.01859 Quilopascal --> 18.59 Pascal (Verifique a conversão ​aqui)
Ganho para tensão da fonte: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Nenhuma conversão necessária
Aperte a tensão: 100.66 Volt --> 100.66 Volt Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Id = Go*(Vds+3/2*((Ψ0+V(g-s)-Vds)^(3/2)-(Ψ0+V(g-s))^(3/2))/((Ψ0+Voff)^(1/2))) --> 0.00167*(0.2+3/2*((18.59+0.0039-0.2)^(3/2)-(18.59+0.0039)^(3/2))/((18.59+100.66)^(1/2)))
Avaliando ... ...
Id = 3.80532912657331E-05
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
3.80532912657331E-05 Ampere --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
3.80532912657331E-05 3.8E-5 Ampere <-- Corrente de drenagem
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Mohamed Fazil V
Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru
Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Parminder Singh
Universidade de Chandigarh (CU), Punjab
Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

9 FET Calculadoras

Corrente de drenagem da região ôhmica do FET
​ Vai Corrente de drenagem = Condutância do Canal*(Drenar para a tensão da fonte+3/2*((psi+Ganho para tensão da fonte-Drenar para a tensão da fonte)^(3/2)-(psi+Ganho para tensão da fonte)^(3/2))/((psi+Aperte a tensão)^(1/2)))
Transcondutância de FET
​ Vai Transcondutância direta = (2*Corrente de drenagem de polarização zero)/Aperte a tensão*(1-Ganho para tensão da fonte/Aperte a tensão)
Tensão da fonte de drenagem do FET
​ Vai Drenar para a tensão da fonte = Tensão de alimentação no dreno-Corrente de drenagem*(Resistência à drenagem+Resistência da Fonte)
Capacitância do substrato de porta do FET
​ Vai Capacitância do Substrato da Porta = Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta/(1-(Tensão do Substrato da Porta/psi))^(1/2)
Capacitância de drenagem do portão do FET
​ Vai Porta para drenar a capacitância = Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão/(1-Porta para Drenar Tensão/psi)^(1/3)
Capacitância da fonte de porta do FET
​ Vai Porta para capacitância de fonte = Tempo de desligamento da capacitância da fonte da porta/(1-(Ganho para tensão da fonte/psi))^(1/3)
Corrente de drenagem do FET
​ Vai Corrente de drenagem = Corrente de drenagem de polarização zero*(1-Ganho para tensão da fonte/Ganho de corte para tensão da fonte)^2
Corte a tensão do FET
​ Vai Aperte a tensão = Aperte o dreno para a tensão da fonte-Ganho para tensão da fonte
Ganho de tensão do FET
​ Vai Ganho de tensão = -Transcondutância direta*Resistência à drenagem

Corrente de drenagem da região ôhmica do FET Fórmula

Corrente de drenagem = Condutância do Canal*(Drenar para a tensão da fonte+3/2*((psi+Ganho para tensão da fonte-Drenar para a tensão da fonte)^(3/2)-(psi+Ganho para tensão da fonte)^(3/2))/((psi+Aperte a tensão)^(1/2)))
Id = Go*(Vds+3/2*((Ψ0+V(g-s)-Vds)^(3/2)-(Ψ0+V(g-s))^(3/2))/((Ψ0+Voff)^(1/2)))
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