Profundidade da região de esgotamento associada à fonte Calculadora

✖Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.ⓘ Potencial de junção integrado [Φ_o]			+10% -10%
✖A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.ⓘ Concentração de Dopagem do Aceitante [N_A]			+10% -10%

✖A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta.ⓘ Profundidade da região de esgotamento associada à fonte [x_dS]

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Profundidade da região de esgotamento associada à fonte Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Região de profundidade de esgotamento da fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))
x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A))
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funções, 3 Variáveis

Constantes Usadas

[Permitivity-silicon] - Permissividade do silício Valor considerado como 11.7
[Charge-e] - Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Região de profundidade de esgotamento da fonte - (Medido em Metro) - A região de profundidade de esgotamento da fonte é a região de esgotamento formada perto do terminal da fonte quando uma tensão é aplicada ao terminal da porta.
Potencial de junção integrado - (Medido em Volt) - Potencial de junção integrado refere-se à diferença de potencial ou tensão que existe em uma junção semicondutora quando ela não está conectada a uma fonte de tensão externa.
Concentração de Dopagem do Aceitante - (Medido em Elétrons por metro cúbico) - A concentração de dopagem do aceitador refere-se à concentração de átomos aceitadores adicionados intencionalmente a um material semicondutor.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Potencial de junção integrado: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
Concentração de Dopagem do Aceitante: 1.32 Elétrons por Centímetro Cúbico --> 1320000 Elétrons por metro cúbico (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

x_dS = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Φ_o)/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*1320000))

Avaliando ... ...

x_dS = 14875814.9060508

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

14875814.9060508 Metro --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

14875814.9060508 ≈ 1.5E+7 Metro <-- Região de profundidade de esgotamento da fonte

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Banu Prakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

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