Fator de equivalência de tensão na parede lateral Calculadora

✖Potencial integrado de junções de parede lateral refere-se à junção formada ao longo das superfícies verticais ou da parede lateral da estrutura do transistor.ⓘ Potencial integrado de junções de paredes laterais [Φ_osw]			+10% -10%
✖Tensão Final refere-se ao nível de tensão alcançado ou medido na conclusão de um processo ou evento específico.ⓘ Tensão Final [V₂]			+10% -10%
✖Tensão Inicial refere-se à tensão presente em um ponto específico de um circuito no início de uma determinada operação ou sob condições específicas.ⓘ Tensão Inicial [V₁]			+10% -10%

✖O Fator de Equivalência de Tensão da Parede Lateral representa a relação entre a tensão aplicada a um dispositivo semicondutor e a mudança resultante na capacitância da junção da parede lateral por unidade de área.ⓘ Fator de equivalência de tensão na parede lateral [K_eq(sw)]

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Fórmula

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Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Fórmula

`"K"_{"eq(sw)"} = -(2*sqrt("Φ"_{"osw"})/("V"_{"2"}-"V"_{"1"})*(sqrt("Φ"_{"osw"}-"V"_{"2"})-sqrt("Φ"_{"osw"}-"V"_{"1"})))`

Exemplo

`"1.00009"=-(2*sqrt("0.000032V")/("6.135nV"-"5.42nV")*(sqrt("0.000032V"-"6.135nV")-sqrt("0.000032V"-"5.42nV")))`

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Fator de equivalência de tensão na parede lateral Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))
K_eq(sw) = -(2*sqrt(Φ_osw)/(V₂-V₁)*(sqrt(Φ_osw-V₂)-sqrt(Φ_osw-V₁)))
Esta fórmula usa 1 Funções, 4 Variáveis

Funções usadas

sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)

Variáveis Usadas

Fator de equivalência de tensão na parede lateral - O Fator de Equivalência de Tensão da Parede Lateral representa a relação entre a tensão aplicada a um dispositivo semicondutor e a mudança resultante na capacitância da junção da parede lateral por unidade de área.
Potencial integrado de junções de paredes laterais - (Medido em Volt) - Potencial integrado de junções de parede lateral refere-se à junção formada ao longo das superfícies verticais ou da parede lateral da estrutura do transistor.
Tensão Final - (Medido em Volt) - Tensão Final refere-se ao nível de tensão alcançado ou medido na conclusão de um processo ou evento específico.
Tensão Inicial - (Medido em Volt) - Tensão Inicial refere-se à tensão presente em um ponto específico de um circuito no início de uma determinada operação ou sob condições específicas.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Potencial integrado de junções de paredes laterais: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão Final: 6.135 Nanovalt --> 6.135E-09 Volt (Verifique a conversão aqui)
Tensão Inicial: 5.42 Nanovalt --> 5.42E-09 Volt (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

K_eq(sw) = -(2*sqrt(Φ_osw)/(V₂-V₁)*(sqrt(Φ_osw-V₂)-sqrt(Φ_osw-V₁))) --> -(2*sqrt(3.2E-05)/(6.135E-09-5.42E-09)*(sqrt(3.2E-05-6.135E-09)-sqrt(3.2E-05-5.42E-09)))

Avaliando ... ...

K_eq(sw) = 1.00009028568687

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.00009028568687 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

1.00009028568687 ≈ 1.00009 <-- Fator de equivalência de tensão na parede lateral

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 21 Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))

Puxar para baixo a corrente na região linear

Vai Corrente de redução da região linear = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)*Voltagem de saída-Voltagem de saída^2))

Tensão do nó em determinada instância

Vai Tensão do nó em determinada instância = (Fator de Transcondutância/Capacitância do nó)*int(exp(-(1/(Resistência do nó*Capacitância do nó))*(Período de tempo-x))*Corrente fluindo para o nó*x,x,0,Período de tempo)

Puxe para baixo a corrente na região de saturação

Vai Corrente de redução da região de saturação = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2)

Tempo de saturação

Vai Tempo de saturação = -2*Capacitância de Carga/(Parâmetro do Processo de Transcondutância*(Alta Tensão de Saída-Tensão de limiar)^2)*int(1,x,Alta Tensão de Saída,Alta Tensão de Saída-Tensão de limiar)

Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS

Vai Corrente de drenagem = (Largura de banda/Comprimento do canal)*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*int((Tensão da Fonte da Porta-x-Tensão de limiar),x,0,Tensão da fonte de drenagem)

Densidade de Carga da Região de Esgotamento

Vai Densidade de Carga da Camada de Esgotamento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(Potencial de Superfície-Potencial de Fermi em massa)))

Atraso de tempo quando o NMOS opera na região linear

Vai Região Linear em Atraso de Tempo = -2*Capacitância de Junção*int(1/(Parâmetro do Processo de Transcondutância*(2*(Tensão de entrada-Tensão de limiar)*x-x^2)),x,Tensão Inicial,Tensão Final)

Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno

Vai Região de profundidade de esgotamento do dreno = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de junção integrado+Tensão da fonte de drenagem))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))

Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS

Vai Corrente de drenagem da região de saturação = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal)

Profundidade Máxima de Esgotamento

Vai Profundidade Máxima de Esgotamento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi em massa))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))

Potencial de Fermi para tipo P

Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)

Potencial de Fermi para tipo N

Vai Potencial de Fermi para tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração de dopante doador/Concentração Intrínseca de Portadores)

Potencial integrado na região de esgotamento

Vai Tensão embutida = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa)))

Capacitância equivalente de sinal grande

Vai Capacitância equivalente de sinal grande = (1/(Tensão Final-Tensão Inicial))*int(Capacitância de Junção*x,x,Tensão Inicial,Tensão Final)

Profundidade da região de esgotamento associada à fonte

Vai Região de profundidade de esgotamento da fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))

Coeficiente de polarização do substrato

Vai Coeficiente de polarização do substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido

Capacitância equivalente de junção de sinal grande

Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo

Vai Potencia média = (1/Tempo total gasto)*int(Tensão*Atual,x,0,Tempo Total Levado)

Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Função de trabalho no MOSFET

Vai Função no trabalho = Nível de vácuo+(Nível de energia da banda de condução-Nível Fermi)

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