Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service
Ppk = Pavg/D
Cette formule utilise 3 Variables
Variables utilisées
Puissance de crête d'impulsion - (Mesuré en Watt) - Amélioration de la puissance de pointe de l'impulsion dans la puissance micro-onde maximale de 6,2 dB avec une durée d'impulsion de 2,7.
Puissance moyenne - (Mesuré en Watt) - La puissance moyenne est définie comme le rapport entre le travail total effectué par le corps et le temps total mis par le corps.
Cycle de service - Le cycle de service ou cycle d'alimentation est la fraction d'une période pendant laquelle un signal ou un système est actif.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Puissance moyenne: 15 Kilowatt --> 15000 Watt (Vérifiez la conversion ​ici)
Cycle de service: 0.6 --> Aucune conversion requise
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ppk = Pavg/D --> 15000/0.6
Évaluer ... ...
Ppk = 25000
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
25000 Watt -->25 Kilowatt (Vérifiez la conversion ​ici)
RÉPONSE FINALE
25 Kilowatt <-- Puissance de crête d'impulsion
(Calcul effectué en 00.004 secondes)

Crédits

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Créé par Shobhit Dimri
Institut de technologie Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri a créé cette calculatrice et 900+ autres calculatrices!
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Vérifié par Urvi Rathod
Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

20 Tube de faisceau Calculatrices

Tension micro-ondes dans l'espace du groupeur
​ Aller Tension micro-onde dans l'espace du groupeur = (Amplitude du signal/(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Temps de transit moyen))*(cos(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Saisie de l'heure)-cos(Fréquence angulaire de résonance+(Fréquence angulaire de la tension micro-ondes*Distance d'écart entre le groupeur)/Vitesse de l'électron))
Puissance de sortie RF
​ Aller Puissance de sortie RF = Puissance d'entrée RF*exp(-2*Constante d'atténuation RF*Longueur du circuit RF)+int((Puissance RF générée/Longueur du circuit RF)*exp(-2*Constante d'atténuation RF*(Longueur du circuit RF-x)),x,0,Longueur du circuit RF)
Tension du répulsif
​ Aller Tension du répulsif = sqrt((8*Fréquence angulaire^2*Longueur de l'espace de dérive^2*Tension du petit faisceau)/((2*pi*Nombre d'oscillations)-(pi/2))^2*([Mass-e]/[Charge-e]))-Tension du petit faisceau
Épuisement total pour le système WDM
​ Aller Épuisement total pour un système WDM = sum(x,2,Nombre de canaux,Coefficient de gain Raman*Puissance du canal*Longueur efficace/Zone efficace)
Perte de puissance moyenne dans le résonateur
​ Aller Perte de puissance moyenne dans le résonateur = (Résistance de surface du résonateur/2)*(int(((Valeur maximale de l'intensité magnétique tangentielle)^2)*x,x,0,Rayon du résonateur))
Fréquence plasmatique
​ Aller Fréquence plasmatique = sqrt(([Charge-e]*Densité de charge électronique CC)/([Mass-e]*[Permitivity-vacuum]))
Énergie totale stockée dans le résonateur
​ Aller Énergie totale stockée dans le résonateur = int((Permittivité du milieu/2*Intensité du champ électrique^2)*x,x,0,Volume du résonateur)
Profondeur de la peau
​ Aller Profondeur de la peau = sqrt(Résistivité/(pi*Perméabilité relative*Fréquence))
Densité totale de courant du faisceau d'électrons
​ Aller Densité totale de courant du faisceau d'électrons = -Densité de courant du faisceau CC+Perturbation instantanée du courant du faisceau RF
Fréquence porteuse dans la ligne spectrale
​ Aller Fréquence porteuse = Fréquence de la ligne spectrale-Nombre d'échantillons*Fréquence de répétition
Vitesse totale des électrons
​ Aller Vitesse totale des électrons = Vitesse des électrons CC+Perturbation instantanée de la vitesse des électrons
Fréquence plasma réduite
​ Aller Fréquence plasmatique réduite = Fréquence plasmatique*Facteur de réduction de la charge d'espace
Densité de charge totale
​ Aller Densité de charge totale = -Densité de charge électronique CC+Densité de charge RF instantanée
Puissance obtenue à partir de l'alimentation CC
​ Aller Alimentation CC = Puissance générée dans le circuit anodique/Efficacité électronique
Puissance générée dans le circuit anodique
​ Aller Puissance générée dans le circuit anodique = Alimentation CC*Efficacité électronique
Gain de tension maximum à la résonance
​ Aller Gain de tension maximum à la résonance = Transconductance/Conductance
Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire
​ Aller Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service
Perte de retour
​ Aller Perte de retour = -20*log10(Coefficient de reflexion)
Alimentation CA fournie par la tension du faisceau
​ Aller Alimentation CA = (Tension*Actuel)/2
Alimentation CC fournie par la tension du faisceau
​ Aller Alimentation CC = Tension*Actuel

Puissance de crête d'impulsion micro-ondes rectangulaire Formule

Puissance de crête d'impulsion = Puissance moyenne/Cycle de service
Ppk = Pavg/D

Qu’est-ce que l’impulsion micro-ondes ?

Une impulsion micro-onde fait référence à une courte rafale ou un paquet de rayonnement micro-onde. Les impulsions micro-ondes sont souvent générées à l'aide de sources micro-ondes telles que des klystrons, des magnétrons ou des dispositifs à semi-conducteurs.

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