Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Cg = Cox*Wc*L
Esta fórmula usa 4 Variáveis
Variáveis Usadas
Capacitância do canal de porta - (Medido em Farad) - A capacitância do canal de porta refere-se à capacitância elétrica que existe entre o eletrodo de porta e a região do canal de um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET).
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal refere-se à distância entre os terminais de fonte e dreno em um transistor de efeito de campo (FET).
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
Comprimento do canal: 100 Micrômetro --> 0.0001 Metro (Verifique a conversão ​aqui)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Cg = Cox*Wc*L --> 0.00094*1E-05*0.0001
Avaliando ... ...
Cg = 9.4E-13
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
9.4E-13 Farad -->9.4E-07 Microfarad (Verifique a conversão ​aqui)
RESPOSTA FINAL
9.4E-07 9.4E-7 Microfarad <-- Capacitância do canal de porta
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por Payal Priya
Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri
Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs
​ Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido
Frequência de Transição do MOSFET
​ Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))
Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET
​ Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva
Frequência crítica mais baixa do Mosfet
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)
Mudança de fase no circuito RC de saída
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))
Largura do portão para o canal de origem do MOSFET
​ Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)
Capacitância de sobreposição do MOSFET
​ Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs
​ Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Saída Miller Capacitância Mosfet
​ Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)
Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência
​ Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)
Mudança de fase no circuito RC de entrada
​ Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)
Reatância capacitiva do Mosfet
​ Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)
Capacitância de Miller do Mosfet
​ Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)
Frequência Crítica do Mosfet
​ Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)
Atenuação do Circuito RC
​ Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs Fórmula

Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal
Cg = Cox*Wc*L

Explique todo o processo da região do canal do MOSFET formando um capacitor de placa paralela.

A porta e a região do canal do MOSFET formam um capacitor de placa paralela, com a camada de óxido atuando como o dielétrico do capacitor. A tensão da porta positiva faz com que uma carga positiva se acumule na placa superior do capacitor (o eletrodo da porta). A carga negativa correspondente na placa inferior é formada pelos elétrons no canal induzido. Um campo elétrico, portanto, se desenvolve na direção vertical. É este campo que controla a quantidade de carga no canal e, portanto, determina a condutividade do canal e, por sua vez, a corrente que fluirá através do canal quando uma tensão for aplicada.

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