Capacitância de sobreposição do MOSFET Calculadora

✖A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).ⓘ Largura de banda [W_c]			+10% -10%
✖A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.ⓘ Comprimento da sobreposição [L_ov]			+10% -10%

✖A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.ⓘ Capacitância de sobreposição do MOSFET [C_oc]

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Fórmula

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Capacitância de sobreposição do MOSFET

Fórmula

`"C"_{"oc"} = "W"_{"c"}*"C"_{"ox"}*"L"_{"ov"}`

Exemplo

`"3.8E^-7μF"="10μm"*"940μF"*"40.6μm"`

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Capacitância de sobreposição do MOSFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
C_oc = W_c*C_ox*L_ov
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Capacitância de sobreposição - (Medido em Farad) - A capacitância de sobreposição refere-se à capacitância que surge entre duas regiões condutoras próximas uma da outra, mas não conectadas diretamente.
Largura de banda - (Medido em Metro) - A largura do canal refere-se à faixa de frequências usada para transmitir dados através de um canal de comunicação sem fio. Também é conhecido como largura de banda e é medido em hertz (Hz).
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad) - A capacitância de óxido é um parâmetro importante que afeta o desempenho dos dispositivos MOS, como a velocidade e o consumo de energia dos circuitos integrados.
Comprimento da sobreposição - (Medido em Metro) - O comprimento de sobreposição é a distância média que as portadoras em excesso podem percorrer antes de se recombinarem.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Largura de banda: 10 Micrômetro --> 1E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Capacitância de Óxido: 940 Microfarad --> 0.00094 Farad (Verifique a conversão aqui)
Comprimento da sobreposição: 40.6 Micrômetro --> 4.06E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_oc = W_c*C_ox*L_ov --> 1E-05*0.00094*4.06E-05

Avaliando ... ...

C_oc = 3.8164E-13

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

3.8164E-13 Farad -->3.8164E-07 Microfarad (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

3.8164E-07 ≈ 3.8E-7 Microfarad <-- Capacitância de sobreposição

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 15 Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Condutância do Canal de MOSFETs

Vai Condutância do Canal = Mobilidade de elétrons na superfície do canal*Capacitância de Óxido*(Largura de banda/Comprimento do canal)*Tensão através do Óxido

Frequência de Transição do MOSFET

Vai Frequência de transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância da porta de origem+Capacitância Gate-Dreno))

Magnitude da carga eletrônica no canal do MOSFET

Vai Carga do Elétron no Canal = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal*Tensão Efetiva

Frequência crítica mais baixa do Mosfet

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*(Resistência+Resistência de entrada)*Capacitância)

Mudança de fase no circuito RC de saída

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/(Resistência+Resistência de carga))

Largura do portão para o canal de origem do MOSFET

Vai Largura de banda = Capacitância de sobreposição/(Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição)

Capacitância de sobreposição do MOSFET

Vai Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição

Capacitância Total entre Gate e Canal de MOSFETs

Vai Capacitância do canal de porta = Capacitância de Óxido*Largura de banda*Comprimento do canal

Saída Miller Capacitância Mosfet

Vai Capacitância Miller de saída = Capacitância Gate-Dreno*((Ganho de tensão+1)/Ganho de tensão)

Frequência crítica em circuito RC de entrada de alta frequência

Vai Frequência de canto = 1/(2*pi*Resistência de entrada*Capacitância de Miller)

Mudança de fase no circuito RC de entrada

Vai Mudança de fase = arctan(Reatância capacitiva/Resistência de entrada)

Reatância capacitiva do Mosfet

Vai Reatância capacitiva = 1/(2*pi*Frequência*Capacitância)

Capacitância de Miller do Mosfet

Vai Capacitância de Miller = Capacitância Gate-Dreno*(Ganho de tensão+1)

Frequência Crítica do Mosfet

Vai Frequência Crítica em decibéis = 10*log10(Frequência Crítica)

Atenuação do Circuito RC

Vai Atenuação = Tensão Base/Tensão de entrada

Capacitância de sobreposição do MOSFET Fórmula

Capacitância de sobreposição = Largura de banda*Capacitância de Óxido*Comprimento da sobreposição
C_oc = W_c*C_ox*L_ov

Como o MOSFET atua como capacitor?

Simplificando, o DRENO e a FONTE do MOSFET atuam como as placas condutoras em um capacitor por causa da porta isolada. Os MOSFETs se comportam como dispositivos eletrocondutores, que é o equivalente a uma capacitância controlada por tensão.

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