Базовое сопротивление Калькулятор

✖Частота среза в BJT определяется как угловая частота — это граница частотной характеристики системы, при которой энергия, проходящая через систему, начинает уменьшаться, а не проходить через нее.ⓘ Частота среза в BJT [f_co]			+10% -10%
✖Максимальная частота колебаний определяется как практическая верхняя граница полезной работы схемы с биполярным транзистором.ⓘ Максимальная частота колебаний [f_m]			+10% -10%
✖Емкость базы коллектора относится к емкости, которая существует между коллектором и базой биполярного транзистора (BJT).ⓘ Базовая емкость коллектора [C_c]			+10% -10%

✖Сопротивление базы – это сопротивление базового перехода.ⓘ Базовое сопротивление [R_b]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Базовое сопротивление

Формула

`"R"_{"b"} = "f"_{"co"}/(8*pi*"f"_{"m"}^2*"C"_{"c"})`

Пример

`"0.983203Ω"="30Hz"/(8*pi*("69Hz")^2*"255μF")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ-микроволновые устройства Формулы PDF PDF Image

Базовое сопротивление Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)
R_b = f_co/(8*pi*f_m^2*C_c)
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Базовое сопротивление - (Измеряется в ом) - Сопротивление базы – это сопротивление базового перехода.
Частота среза в BJT - (Измеряется в Герц) - Частота среза в BJT определяется как угловая частота — это граница частотной характеристики системы, при которой энергия, проходящая через систему, начинает уменьшаться, а не проходить через нее.
Максимальная частота колебаний - (Измеряется в Герц) - Максимальная частота колебаний определяется как практическая верхняя граница полезной работы схемы с биполярным транзистором.
Базовая емкость коллектора - (Измеряется в фарада) - Емкость базы коллектора относится к емкости, которая существует между коллектором и базой биполярного транзистора (BJT).

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Частота среза в BJT: 30 Герц --> 30 Герц Конверсия не требуется
Максимальная частота колебаний: 69 Герц --> 69 Герц Конверсия не требуется
Базовая емкость коллектора: 255 Микрофарад --> 0.000255 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

R_b = f_co/(8*pi*f_m^2*C_c) --> 30/(8*pi*69^2*0.000255)

Оценка ... ...

R_b = 0.983202633479715

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.983202633479715 ом --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.983202633479715 ≈ 0.983203 ом <-- Базовое сопротивление

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » БЮТ-микроволновые устройства » Базовое сопротивление

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 15 БЮТ-микроволновые устройства Калькуляторы

Максимальная частота колебаний

Идти Максимальная частота колебаний = sqrt(Частота усиления короткого замыкания с общим эмиттером/(8*pi*Базовое сопротивление*Базовая емкость коллектора))

Время задержки базового коллектора

Идти Время задержки коллектора базы = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Время зарядки базы излучателя

Идти Время зарядки эмиттера = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки)

Время зарядки коллектора

Идти Время зарядки коллектора = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)

Базовое время в пути

Идти Базовое время доставки = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Время зарядки эмиттера)

Время задержки между эмиттером и коллектором

Идти Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера

Базовая емкость коллектора

Идти Базовая емкость коллектора = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовое сопротивление)

Базовое сопротивление

Идти Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)

Фактор лавинного умножения

Идти Фактор лавинного умножения = 1/(1-(Приложенное напряжение/Лавинное напряжение пробоя)^Допинговый числовой коэффициент)

Скорость дрейфа насыщения

Идти Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору

Расстояние от эмиттера до коллектора

Идти Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT

Общее время в пути

Идти Общее время в пути = Базовое время доставки+Область истощения коллектора

Общее время зарядки

Идти Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора

Частота среза микроволновой печи

Идти Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)

Дырочный ток эмиттера

Идти Дырочный ток эмиттера = Базовый ток+Коллекторный ток

Базовое сопротивление формула

Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)
R_b = f_co/(8*pi*f_m^2*C_c)

Что такое частота колебательной волны?

Частота колебаний (f) (или просто частота): количество раз, когда волновой узор повторяется за одну секунду.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!