Частота среза микроволновой печи Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)
fco = 1/(2*pi*τec)
В этой формуле используются 1 Константы, 2 Переменные
Используемые константы
pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288
Используемые переменные
Частота среза в BJT - (Измеряется в Герц) - Частота среза в BJT определяется как угловая частота — это граница частотной характеристики системы, при которой энергия, проходящая через систему, начинает уменьшаться, а не проходить через нее.
Время задержки эмиттера-коллектора - (Измеряется в Второй) - Время задержки эмиттер-коллектор определяется как время прохождения через область или пространство обеднения база-коллектор.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Время задержки эмиттера-коллектора: 5295 микросекунда --> 0.005295 Второй (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
fco = 1/(2*pi*τec) --> 1/(2*pi*0.005295)
Оценка ... ...
fco = 30.0575907633419
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
30.0575907633419 Герц --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
30.0575907633419 30.05759 Герц <-- Частота среза в BJT
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

15 БЮТ-микроволновые устройства Калькуляторы

Максимальная частота колебаний
​ Идти Максимальная частота колебаний = sqrt(Частота усиления короткого замыкания с общим эмиттером/(8*pi*Базовое сопротивление*Базовая емкость коллектора))
Время задержки базового коллектора
​ Идти Время задержки коллектора базы = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)
Время зарядки базы излучателя
​ Идти Время зарядки эмиттера = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки)
Время зарядки коллектора
​ Идти Время зарядки коллектора = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера)
Базовое время в пути
​ Идти Базовое время доставки = Время задержки эмиттера-коллектора-(Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Время зарядки эмиттера)
Время задержки между эмиттером и коллектором
​ Идти Время задержки эмиттера-коллектора = Время задержки коллектора базы+Время зарядки коллектора+Базовое время доставки+Время зарядки эмиттера
Базовая емкость коллектора
​ Идти Базовая емкость коллектора = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовое сопротивление)
Базовое сопротивление
​ Идти Базовое сопротивление = Частота среза в BJT/(8*pi*Максимальная частота колебаний^2*Базовая емкость коллектора)
Фактор лавинного умножения
​ Идти Фактор лавинного умножения = 1/(1-(Приложенное напряжение/Лавинное напряжение пробоя)^Допинговый числовой коэффициент)
Скорость дрейфа насыщения
​ Идти Скорость насыщенного дрейфа в BJT = Расстояние от эмиттера до коллектора/Среднее время прохождения эмиттера к коллектору
Расстояние от эмиттера до коллектора
​ Идти Расстояние от эмиттера до коллектора = Максимальное приложенное напряжение в BJT/Максимальное электрическое поле в BJT
Общее время в пути
​ Идти Общее время в пути = Базовое время доставки+Область истощения коллектора
Общее время зарядки
​ Идти Общее время зарядки = Время зарядки эмиттера+Время зарядки коллектора
Частота среза микроволновой печи
​ Идти Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)
Дырочный ток эмиттера
​ Идти Дырочный ток эмиттера = Базовый ток+Коллекторный ток

Частота среза микроволновой печи формула

Частота среза в BJT = 1/(2*pi*Время задержки эмиттера-коллектора)
fco = 1/(2*pi*τec)

Что такое СВЧ-транзистор?

СВЧ-транзистор - это нелинейное устройство, и принцип его действия аналогичен принципу действия низкочастотного устройства. В микроволновых приложениях кремниевые (Si) транзисторы обычно используются для диапазона частот от УВЧ до S-диапазона.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!