Встроенный потенциал Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Встроенный потенциал = Тепловое напряжение*ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные
Используемые функции
ln - De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)
Используемые переменные
Встроенный потенциал - (Измеряется в вольт) - Встроенный потенциал — это потенциал внутри MOSFET.
Тепловое напряжение - (Измеряется в вольт) - Тепловое напряжение — это напряжение, создаваемое внутри pn-перехода.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцепторов — это концентрация дырок в акцепторном состоянии.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Донорная концентрация — это концентрация электронов в донорном состоянии.
Собственная концентрация электронов - Собственная концентрация электронов определяется как количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Тепловое напряжение: 0.55 вольт --> 0.55 вольт Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1100 1 на кубический метр --> 1100 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Концентрация доноров: 190000000000000 1 на кубический метр --> 190000000000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Собственная концентрация электронов: 17 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2)) --> 0.55*ln((1100*190000000000000)/(17^2))
Оценка ... ...
ψo = 18.8180761773197
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
18.8180761773197 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
18.8180761773197 18.81808 вольт <-- Встроенный потенциал
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

24 Характеристики конструкции КМОП Калькуляторы

Земля к емкости агрессии
Идти Соседняя емкость = ((Жертва-водитель*Коэффициент постоянной времени*Емкость заземления)-(Драйвер агрессии*Заземление емкости))/(Драйвер агрессии-Жертва-водитель*Коэффициент постоянной времени)
Водитель жертвы
Идти Жертва-водитель = (Драйвер агрессии*(Заземление емкости+Соседняя емкость))/(Коэффициент постоянной времени*(Соседняя емкость+Емкость заземления))
Драйвер агрессии
Идти Драйвер агрессии = (Жертва-водитель*Коэффициент постоянной времени*(Соседняя емкость+Емкость заземления))/(Заземление емкости+Соседняя емкость)
Тепловое напряжение КМОП
Идти Тепловое напряжение = Встроенный потенциал/ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
Встроенный потенциал
Идти Встроенный потенциал = Тепловое напряжение*ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
Смежная емкость
Идти Соседняя емкость = (Жертва напряжения*Емкость заземления)/ (Агрессорное напряжение-Жертва напряжения)
Напряжение агрессора
Идти Агрессорное напряжение = (Жертва напряжения*(Емкость заземления+Соседняя емкость))/Соседняя емкость
Напряжение жертвы
Идти Жертва напряжения = (Агрессорное напряжение*Соседняя емкость)/(Емкость заземления+Соседняя емкость)
Выходная фаза тактовой частоты
Идти Фаза выходной тактовой частоты = 2*pi*Управляющее напряжение ГУН*Усиление ГУН
Ветвящиеся усилия
Идти Разветвление усилий = (Емкость на пути+Емкость)/Емкость на пути
Постоянная времени агрессии
Идти Постоянная времени агрессии = Коэффициент постоянной времени*Постоянная времени жертвы
Постоянная времени жертвы
Идти Постоянная времени жертвы = Постоянная времени агрессии/Коэффициент постоянной времени
Постоянное во времени отношение агрессии к жертве
Идти Коэффициент постоянной времени = Постоянная времени агрессии/Постоянная времени жертвы
Управляющее напряжение ГУН
Идти Управляющее напряжение ГУН = Блокировка напряжения+Напряжение смещения ГУН
Напряжение смещения VCO
Идти Напряжение смещения ГУН = Управляющее напряжение ГУН-Блокировка напряжения
Напряжение блокировки
Идти Блокировка напряжения = Управляющее напряжение ГУН-Напряжение смещения ГУН
Статический ток
Идти Статический ток = Статическая мощность/Базовое напряжение коллектора
Статическое рассеивание мощности
Идти Статическая мощность = Статический ток*Базовое напряжение коллектора
Коэффициент однократного усиления VCO
Идти Усиление ГУН = Изменение частоты часов/Управляющее напряжение ГУН
Изменение тактовой частоты
Идти Изменение частоты часов = Усиление ГУН*Управляющее напряжение ГУН
Внешняя емкость КМОП
Идти Емкость = Емкость на пути*(Разветвление усилий-1)
Емкость на пути
Идти Емкость на пути = Общая емкость в каскаде-Емкость
Общая емкость по этапам
Идти Общая емкость в каскаде = Емкость на пути+Емкость
Емкость вне пути
Идти Емкость = Общая емкость в каскаде-Емкость на пути

Встроенный потенциал формула

Встроенный потенциал = Тепловое напряжение*ln((Концентрация акцептора*Концентрация доноров)/(Собственная концентрация электронов^2))
ψo = Vt*ln((Na*Nd)/(ni^2))

На каком принципе работает модель диффузионной емкости МОП?

МОП-транзистор можно рассматривать как четырехполюсник с емкостями между каждой парой выводов. Емкость затвора включает внутреннюю составляющую (корпусу, истоку и стоку или только истоку, в зависимости от режима работы) и перекрывающиеся составляющие с истоком и стоком. Исток и сток имеют паразитную диффузионную емкость по отношению к телу.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!