Калькулятор от А до Я

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Калькулятор

Инженерное делоДетская площадкаЗдоровьематематика​Больше >>
ЭлектроникаГражданскаяМатериаловедениеМеханический​Больше >>
УсилителиEDCАналоговая связьАналоговая электроника​Больше >>
Транзисторные усилителиВыходные каскады и усилители мощностиДифференциальные усилители BJTМОП-транзисторные усилители​Больше >>
Характеристики транзисторного усилителяCV-действия усилителей общего каскадаИзлучатель-последовательКаскодный усилитель​Больше >>
✖Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.ⓘ Мобильность электрона [μe]
+10%
-10%
✖Оксидная емкость — это емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора.ⓘ Оксидная емкость [Cox]
+10%
-10%
✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [Wc]
+10%
-10%
✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L]
+10%
-10%
✖Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.ⓘ Напряжение на оксиде [Vox]
+10%
-10%
✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [Vt]
+10%
-10%
✖Напряжение насыщения между стоком и истоком транзистора — это напряжение на коллекторе и эмиттере, необходимое для насыщения.ⓘ Напряжение насыщения между стоком и истоком [Vds]
+10%
-10%
✖Выходной ток — это ток, который усилитель потребляет от источника сигнала.ⓘ Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида [io]
⎘ копия
👎
Формула
сбросить
👍

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком
io = (μe*Cox*(Wc/L)*(Vox-Vt))*Vds
В этой формуле используются 8 Переменные
Используемые переменные
Выходной ток - (Измеряется в Ампер) - Выходной ток — это ток, который усилитель потребляет от источника сигнала.
Мобильность электрона - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электрона определяется как величина средней скорости дрейфа на единицу электрического поля.
Оксидная емкость - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Оксидная емкость — это емкость плоского конденсатора на единицу площади затвора.
Ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала — это размер канала MOSFET.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.
Напряжение на оксиде - (Измеряется в вольт) - Напряжение на оксиде обусловлено зарядом на границе раздела оксид-полупроводник, а третий член обусловлен плотностью заряда в оксиде.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Напряжение насыщения между стоком и истоком - (Измеряется в вольт) - Напряжение насыщения между стоком и истоком транзистора — это напряжение на коллекторе и эмиттере, необходимое для насыщения.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Мобильность электрона: 0.012 Квадратный метр на вольт в секунду --> 0.012 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 0.001 Фарада на квадратный метр --> 0.001 Фарада на квадратный метр Конверсия не требуется
Ширина канала: 10.15 микрометр --> 1.015E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина канала: 3.25 микрометр --> 3.25E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Напряжение на оксиде: 3.775 вольт --> 3.775 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Напряжение насыщения между стоком и истоком: 220 вольт --> 220 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
io = (μe*Cox*(Wc/L)*(Vox-Vt))*Vds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220
Оценка ... ...
io = 0.0146347384615385
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.0146347384615385 Ампер -->14.6347384615385 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
14.6347384615385 ≈ 14.63474 Миллиампер <-- Выходной ток
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь -
Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия LinkedIn Logo
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод LinkedIn Logo
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида
​ LaTeX ​ Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком
Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении
​ LaTeX ​ Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
Общее мгновенное напряжение стока
​ LaTeX ​ Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока
Входное напряжение транзистора
​ LaTeX ​ Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида формула

​LaTeX ​Идти
Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком
io = (μe*Cox*(Wc/L)*(Vox-Vt))*Vds

Объясните работу транзистора NMOS.

Транзистор NMOS с напряжением на источнике газа> порогового напряжения и с небольшим напряжением между стоком и истоком. Устройство действует как сопротивление, величина которого определяется напряжением на источнике газа. В частности, проводимость канала пропорциональна напряжению на источнике газа - пороговому напряжению, и, таким образом, Id пропорционально (напряжение на источнике газа - пороговое напряжение) напряжению между стоком и истоком.

© 2016-2025 calculatoratoz.com A softUsvista Inc. venture!



Home Icon
Дом PDF Icon
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍 Поиск
Category Icon
Категории
Share Icon
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!