Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении Калькулятор

✖Параметр крутизны процесса является произведением подвижности электронов в канале и оксидной емкости.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'_n]			+10% -10%
✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Эффективным напряжением или напряжением перегрузки называется превышение напряжения на оксиде над тепловым напряжением.ⓘ Эффективное напряжение [V_ov]			+10% -10%

✖Ток стока насыщения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.ⓘ Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении [i_ds]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Формула

`"i"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ov"})^2`

Пример

`"4.724903mA"=1/2*"0.2A/V²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("0.123V")^2`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Характеристики транзисторного усилителя Формулы PDF PDF Image

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Ток стока насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток стока насыщения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.
Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр крутизны процесса является произведением подвижности электронов в канале и оксидной емкости.
Ширина канала - (Измеряется в метр) - Ширина канала — это размер канала MOSFET.
Длина канала - (Измеряется в метр) - Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективным напряжением или напряжением перегрузки называется превышение напряжения на оксиде над тепловым напряжением.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Параметр крутизны процесса: 0.2 Ампер на квадратный вольт --> 0.2 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Ширина канала: 10.15 микрометр --> 1.015E-05 метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина канала: 3.25 микрометр --> 3.25E-06 метр (Проверьте преобразование здесь)
Эффективное напряжение: 0.123 вольт --> 0.123 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2 --> 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2

Оценка ... ...

i_ds = 0.00472490307692308

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00472490307692308 Ампер -->4.72490307692308 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.72490307692308 ≈ 4.724903 Миллиампер <-- Ток стока насыщения

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » Транзисторные усилители » Характеристики транзисторного усилителя » Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 18 Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида

Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком

Заданное входное напряжение Сигнальное напряжение

Идти Основное напряжение компонента = (Конечное входное сопротивление/(Конечное входное сопротивление+Сигнальное сопротивление))*Малое напряжение сигнала

Общее эффективное напряжение крутизны МОП-транзистора

Идти Эффективное напряжение = sqrt(2*Ток стока насыщения/(Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)))

Параметр крутизны МОП-транзистора

Идти Параметр крутизны = Ток стока/((Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком)

Мгновенный ток стока с использованием напряжения между стоком и истоком

Идти Ток стока = Параметр крутизны*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)*Напряжение между затвором и истоком

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении

Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2

Ток стока транзистора

Идти Ток стока = (Основное напряжение компонента+Общее мгновенное напряжение стока)/Сопротивление дренажу

Общее мгновенное напряжение стока

Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока

Входное напряжение транзистора

Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

Крутизна транзисторных усилителей

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = (2*Ток стока)/(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение)

Сигнал Ток в эмиттере при заданном входном сигнале

Идти Ток сигнала в эмиттере = Основное напряжение компонента/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя

Идти Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение

Выходное сопротивление цепи общего затвора с заданным тестовым напряжением

Идти Конечное выходное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Входное сопротивление усилителя с общим коллектором

Идти Входное сопротивление = Основное напряжение компонента/Базовый ток

Входное сопротивление схемы с общим затвором

Идти Входное сопротивление = Испытательное напряжение/Тестовый ток

Испытательный ток транзисторного усилителя

Идти Тестовый ток = Испытательное напряжение/Входное сопротивление

Коэффициент усиления постоянного тока усилителя

Идти Усиление постоянного тока = Коллекторный ток/Базовый ток

Вход усилителя транзисторного усилителя

Идти Вход усилителя = Входное сопротивление*Входной ток

Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении формула

Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
i_ds = 1/2*k'_n*(W_c/L)*(V_ov)^2

Что такое ток стока в MOSFET?

Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговый ток и изменяется экспоненциально с Vgs. Величина, обратная крутизне логарифмической характеристики (Ids) по сравнению с Vgs, определяется как подпороговая крутизна, S, и является одним из наиболее важных показателей производительности полевых МОП-транзисторов в логических приложениях.

Какой ток может выдержать полевой МОП-транзистор?

МОП-транзисторы с высоким током, такие как 511-STP200N3LL, говорят, что они могут выдерживать ток 120 А. Полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником, или сокращенно MOSFET, имеет чрезвычайно высокое входное сопротивление затвора, при этом ток, протекающий по каналу между истоком и стоком, регулируется напряжением затвора.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!