Grenzfrequenz der Mikrowelle Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)
fco = 1/(2*pi*τec)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 2 Variablen
Verwendete Konstanten
pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288
Verwendete Variablen
Grenzfrequenz in BJT - (Gemessen in Hertz) - Die Grenzfrequenz im BJT ist als Eckfrequenz definiert und stellt eine Grenze im Frequenzgang des Systems dar, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.
Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors - (Gemessen in Zweite) - Die Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit ist definiert als die Transitzeit durch den Basis-Kollektor-Verarmungsbereich oder -raum.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors: 5295 Mikrosekunde --> 0.005295 Zweite (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
fco = 1/(2*pi*τec) --> 1/(2*pi*0.005295)
Auswerten ... ...
fco = 30.0575907633419
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
30.0575907633419 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
30.0575907633419 30.05759 Hertz <-- Grenzfrequenz in BJT
(Berechnung in 00.016 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Shobhit Dimri
Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat
Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

15 BJT-Mikrowellengeräte Taschenrechner

Maximale Schwingungsfrequenz
​ Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = sqrt(Gemeinsame Emitter-Kurzschlussverstärkungsfrequenz/(8*pi*Basiswiderstand*Kollektorbasiskapazität))
Base-Collector-Verzögerungszeit
​ Gehen Verzögerungszeit des Basiskollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)
Ladezeit der Emitterbasis
​ Gehen Ladezeit des Emitters = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit)
Ladezeit des Kollektors
​ Gehen Ladezeit des Kollektors = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters)
Basis-Transitzeit
​ Gehen Basislaufzeit = Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors-(Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Ladezeit des Emitters)
Emitter-Kollektor-Verzögerungszeit
​ Gehen Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors = Verzögerungszeit des Basiskollektors+Ladezeit des Kollektors+Basislaufzeit+Ladezeit des Emitters
Kollektor-Basiskapazität
​ Gehen Kollektorbasiskapazität = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Basiswiderstand)
Basiswiderstand
​ Gehen Basiswiderstand = Grenzfrequenz in BJT/(8*pi*Maximale Schwingungsfrequenz^2*Kollektorbasiskapazität)
Sättigungsdriftgeschwindigkeit
​ Gehen Gesättigte Driftgeschwindigkeit in BJT = Abstand zwischen Emitter und Kollektor/Durchschnittliche Zeit für den Übergang vom Emitter zum Kollektor
Lawinenmultiplikationsfaktor
​ Gehen Lawinenmultiplikationsfaktor = 1/(1-(Angelegte Spannung/Lawinendurchbruchspannung)^Numerischer Dopingfaktor)
Emitter-Kollektor-Abstand
​ Gehen Abstand zwischen Emitter und Kollektor = Maximale angelegte Spannung in BJT/Maximales elektrisches Feld in BJT
Grenzfrequenz der Mikrowelle
​ Gehen Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)
Gesamtladezeit
​ Gehen Gesamtladezeit = Ladezeit des Emitters+Ladezeit des Kollektors
Gesamtlaufzeit
​ Gehen Gesamtlaufzeit = Basislaufzeit+Collector-Depletion-Region
Lochstrom des Emitters
​ Gehen Lochstrom des Emitters = Basisstrom+Kollektorstrom

Grenzfrequenz der Mikrowelle Formel

Grenzfrequenz in BJT = 1/(2*pi*Verzögerungszeit des Emitter-Kollektors)
fco = 1/(2*pi*τec)

Was ist ein Mikrowellentransistor?

Ein Mikrowellentransistor ist eine nichtlineare Vorrichtung und sein Funktionsprinzip ähnelt dem einer Niederfrequenzvorrichtung. In Mikrowellenanwendungen werden normalerweise Silizium (Si) -Transistoren für den Frequenzbereich von UHF bis S-Band verwendet

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