Ток эмиттера BJT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток
Ie = Ic+IB
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Ток эмиттера - (Измеряется в Ампер) - Ток эмиттера — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток представляет собой усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Базовый ток - (Измеряется в Ампер) - Базовый ток - это критический ток биполярного переходного транзистора. Без тока базы транзистор не может открыться.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Коллекторный ток: 5 Миллиампер --> 0.005 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Базовый ток: 0.077 Миллиампер --> 7.7E-05 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Ie = Ic+IB --> 0.005+7.7E-05
Оценка ... ...
Ie = 0.005077
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.005077 Ампер -->5.077 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5.077 Миллиампер <-- Ток эмиттера
(Расчет завершен через 00.021 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

8 Ток эмиттера Калькуляторы

Ток эмиттера с использованием коэффициента усиления по току общего эмиттера
​ Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Ток насыщения*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Ток эмиттера через концентрацию неосновных носителей
​ Идти Ток эмиттера = Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(-Тепловая равновесная концентрация/Ширина базового соединения)
Ток эмиттера при заданном токе насыщения
​ Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(-Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Ток эмиттера с использованием постоянной транзистора
​ Идти Ток эмиттера = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общей базой)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Ток эмиттера с использованием тока коллектора и коэффициента усиления по току
​ Идти Ток эмиттера = ((Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*Коллекторный ток
Ток эмиттера BJT
​ Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток
Ток эмиттера при заданном токе коллектора
​ Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток/Ток стока
Ток эмиттера при заданном базовом токе
​ Идти Ток эмиттера = (Ток стока+1)*Базовый ток

20 Схема БЮТ Калькуляторы

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения
​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)
Частота перехода BJT
​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))
Суммарная мощность, рассеиваемая в BJT
​ Идти Власть = Напряжение коллектор-эмиттер*Коллекторный ток+Напряжение база-эмиттер*Базовый ток
Коэффициент подавления синфазного сигнала
​ Идти Коэффициент подавления синфазного сигнала = 20*log10(Усиление дифференциального режима/Усиление синфазного сигнала)
Коэффициент усиления по току с общей базой
​ Идти Коэффициент усиления по току с общей базой = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Пропускная способность Unity-Gain BJT
​ Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)
Справочный ток зеркала BJT
​ Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Выходное сопротивление BJT
​ Идти Сопротивление = (Напряжение питания+Напряжение коллектор-эмиттер)/Коллекторный ток
Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда
​ Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
Выходное напряжение усилителя BJT
​ Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Ток стока*Сопротивление нагрузки
Общая потребляемая мощность в BJT
​ Идти Власть = Напряжение питания*(Коллекторный ток+Входной ток)
Напряжение между коллектором и эмиттером при насыщении
​ Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение база-эмиттер-Напряжение база-коллектор
Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора
​ Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером
Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера
​ Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)
Ток коллектора с использованием тока эмиттера
​ Идти Коллекторный ток = Коэффициент усиления по току с общей базой*Ток эмиттера
Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой
​ Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера
Внутреннее усиление BJT
​ Идти Внутреннее усиление = Раннее напряжение/Тепловое напряжение
Ток коллектора BJT
​ Идти Коллекторный ток = Ток эмиттера-Базовый ток
Ток эмиттера BJT
​ Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток
Крутизна короткого замыкания
​ Идти крутизна = Выходной ток/Входное напряжение

Ток эмиттера BJT формула

Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток
Ie = Ic+IB

Что такое ток эмиттера?

Ток эмиттера, Ie, транзистора - это усиленный выходной ток биполярного переходного транзистора.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!