Emitterstrom von BJT Taschenrechner

✖Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Kollektorstrom [I_c]			+10% -10%
✖Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.ⓘ Basisstrom [I_B]			+10% -10%

✖Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.ⓘ Emitterstrom von BJT [I_e]

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Formel

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Emitterstrom von BJT

Formel

`"I"_{"e"} = "I"_{"c"}+"I"_{"B"}`

Beispiel

`"5.077mA"="5mA"+"0.077mA"`

Taschenrechner

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Emitterstrom von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom
I_e = I_c+I_B
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Kollektorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.
Basisstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Basisstrom ist ein entscheidender Strom des Bipolartransistors. Ohne den Basisstrom kann der Transistor nicht einschalten.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kollektorstrom: 5 Milliampere --> 0.005 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Basisstrom: 0.077 Milliampere --> 7.7E-05 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_e = I_c+I_B --> 0.005+7.7E-05

Auswerten ... ...

I_e = 0.005077

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.005077 Ampere -->5.077 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

5.077 Milliampere <-- Emitterstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 Emitterstrom Taschenrechner

Emitterstrom durch Minoritätsträgerkonzentration

Gehen Emitterstrom = Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(-Thermische Gleichgewichtskonzentration/Breite der Basisverbindung)

Emitterstrom unter Verwendung der gemeinsamen Emitterstromverstärkung

Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom bei Sättigungsstrom

Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(-Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom mit Transistorkonstante

Gehen Emitterstrom = (Sättigungsstrom/Basisstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Emitterstrom mit Kollektorstrom und Stromverstärkung

Gehen Emitterstrom = ((Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*Kollektorstrom

Emitterstrom bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom/Stromverbrauch

Emitterstrom bei gegebenem Basisstrom

Gehen Emitterstrom = (Stromverbrauch+1)*Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Emitterstrom von BJT Formel

Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom
I_e = I_c+I_B

Was ist ein Emitterstrom?

Der Emitterstrom eines Transistors ist der verstärkte Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.

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