МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Сопротивление Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.ⓘ Мобильность электронов на поверхности канала [μ_s]			+10% -10%
✖Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).ⓘ ширина канала [W_c]			+10% -10%
✖Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.ⓘ Эффективное напряжение [V_eff]			+10% -10%

✖Линейное сопротивление, величина сопротивления или сопротивления прямо пропорциональна величине тока, протекающего через него, как описано в законе Ома.ⓘ МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон [R_ds]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Линейное сопротивление = Длина канала/(Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала*Эффективное напряжение)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
В этой формуле используются 6 Переменные

Используемые переменные

Линейное сопротивление - (Измеряется в ом) - Линейное сопротивление, величина сопротивления или сопротивления прямо пропорциональна величине тока, протекающего через него, как описано в законе Ома.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).
Мобильность электронов на поверхности канала - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Длина канала: 100 микрометр --> 0.0001 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Мобильность электронов на поверхности канала: 38 Квадратный метр на вольт в секунду --> 38 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 940 Микрофарад --> 0.00094 фарада (Проверьте преобразование здесь)
ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Эффективное напряжение: 1.7 вольт --> 1.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

Оценка ... ...

R_ds = 164.679533627561

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

164.679533627561 ом -->0.164679533627561 килоом (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.164679533627561 ≈ 0.16468 килоом <-- Линейное сопротивление

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Сопротивление » МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Сопротивление Калькуляторы

МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон

LaTeX Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала*Эффективное напряжение)

Конечное сопротивление между стоком и источником

LaTeX Идти Конечное сопротивление = modulus(Положительное напряжение постоянного тока)/Ток стока

Длина свободного пробега электрона

LaTeX Идти Длина свободного пробега электрона = 1/(Выходное сопротивление*Ток стока)

Выходное сопротивление стока

LaTeX Идти Выходное сопротивление = 1/(Длина свободного пробега электрона*Ток стока)

Узнать больше >>

МОП-транзистор как линейное сопротивление с учетом соотношения сторон формула

LaTeX Идти

Каковы условия использования полевого МОП-транзистора в качестве линейного резистора?

Когда вы медленно увеличиваете напряжение затвора, полевой МОП-транзистор начинает медленно проводить, входя в линейную область, где он начинает вырабатывать напряжение на нем, которое мы называем V DS. В этой области полевой МОП-транзистор действует как сопротивление конечной величины.

English Spanish French German Italian Portuguese Polish Dutch

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!