Calculadora MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

✖La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).ⓘ Longitud del canal [L]			+10% -10%
✖La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.ⓘ Movilidad de electrones en la superficie del canal. [μ_s]			+10% -10%
✖La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.ⓘ Capacitancia de óxido [C_ox]			+10% -10%
✖El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).ⓘ Ancho de banda [W_c]			+10% -10%
✖El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.ⓘ Voltaje efectivo [V_eff]			+10% -10%

✖Resistencia lineal, la cantidad de oposición o resistencia es directamente proporcional a la cantidad de corriente que fluye a través de ella, como lo describe la Ley de Ohm.ⓘ MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto [R_ds]

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Fórmula

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MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

Fórmula

`"R"_{"ds"} = "L"/("μ"_{"s"}*"C"_{"ox"}*"W"_{"c"}*"V"_{"eff"})`

Ejemplo

`"0.16468kΩ"="100μm"/("38m²/V*s"*"940μF"*"10μm"*"1.7V")`

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MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Resistencia lineal = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)
Esta fórmula usa 6 Variables

Variables utilizadas

Resistencia lineal - (Medido en Ohm) - Resistencia lineal, la cantidad de oposición o resistencia es directamente proporcional a la cantidad de corriente que fluye a través de ella, como lo describe la Ley de Ohm.
Longitud del canal - (Medido en Metro) - La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).
Movilidad de electrones en la superficie del canal. - (Medido en Metro cuadrado por voltio por segundo) - La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.
Capacitancia de óxido - (Medido en Faradio) - La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.
Ancho de banda - (Medido en Metro) - El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).
Voltaje efectivo - (Medido en Voltio) - El voltaje efectivo en un MOSFET (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico) es el voltaje que determina el comportamiento del dispositivo. También se conoce como voltaje puerta-fuente.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Longitud del canal: 100 Micrómetro --> 0.0001 Metro (Verifique la conversión aquí)
Movilidad de electrones en la superficie del canal.: 38 Metro cuadrado por voltio por segundo --> 38 Metro cuadrado por voltio por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de óxido: 940 Microfaradio --> 0.00094 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Ancho de banda: 10 Micrómetro --> 1E-05 Metro (Verifique la conversión aquí)
Voltaje efectivo: 1.7 Voltio --> 1.7 Voltio No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff) --> 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7)

Evaluar ... ...

R_ds = 164.679533627561

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

164.679533627561 Ohm -->0.164679533627561 kilohmios (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

0.164679533627561 ≈ 0.16468 kilohmios <-- Resistencia lineal

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

< 14 Resistencia Calculadoras

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto

Vamos Resistencia lineal = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo)

Resistencia de salida del amplificador diferencial

Vamos Resistencia de salida = ((Señal de entrada de modo común*Transconductancia)-Corriente Total)/(2*Transconductancia*Corriente Total)

Resistencia de entrada de Mosfet

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/(Colector actual*Ganancia de corriente de señal pequeña)

Resistencia finita entre drenaje y fuente

Vamos Resistencia finita = modulus(Voltaje CC positivo)/Corriente de drenaje

Trayectoria libre media de electrones

Vamos Trayectoria libre media de electrones = 1/(Resistencia de salida*Corriente de drenaje)

Resistencia de salida de drenaje

Vamos Resistencia de salida = 1/(Trayectoria libre media de electrones*Corriente de drenaje)

Resistencia de entrada dada la transconductancia

Vamos Resistencia de entrada = Ganancia de corriente de señal pequeña/Transconductancia

Resistencia de salida dada la modulación de longitud del canal

Vamos Resistencia de salida = 1/(Modulación de longitud de canal*Corriente de drenaje)

Resistencia de salida dada la transconductancia

Vamos Resistencia de salida = 1/(Movilidad del transportista*Transconductancia)

Resistencia dependiente del voltaje en MOSFET

Vamos Resistencia finita = Voltaje efectivo/Corriente de drenaje

Resistencia de entrada de señal pequeña

Vamos Resistencia de entrada = Voltaje de entrada/Corriente base

Resistencia de salida de Mosfet

Vamos Resistencia de salida = Voltaje temprano/Colector actual

Conductancia en resistencia lineal de MOSFET

Vamos Conductancia del canal = 1/Resistencia lineal

MOSFET como resistencia lineal

Vamos Resistencia lineal = 1/Conductancia del canal

MOSFET como resistencia lineal dada la relación de aspecto Fórmula

Resistencia lineal = Longitud del canal/(Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*Ancho de banda*Voltaje efectivo)
R_ds = L/(μ_s*C_ox*W_c*V_eff)

¿Cuál es la condición para usar el MOSFET como resistencia lineal?

Cuando aumenta lentamente el voltaje de la puerta, el MOSFET comienza a conducir lentamente al ingresar a la región lineal donde comienza a desarrollar un voltaje a través de él, lo que llamamos V DS. En esta región, el MOSFET actúa como una resistencia de valor finito.

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