Пороговое напряжение MOSFET Калькулятор

✖Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.ⓘ Напряжение затвор-исток [V_gs]			+10% -10%
✖Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.ⓘ Эффективное напряжение [V_eff]			+10% -10%

✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение MOSFET [V_th]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Пороговое напряжение MOSFET

Формула

`"V"_{"th"} = "V"_{"gs"}-"V"_{"eff"}`

Пример

`"2.3V"="4V"-"1.7V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF

Пороговое напряжение MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
V_th = V_gs-V_eff
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
Напряжение затвор-исток - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение затвор-исток: 4 вольт --> 4 вольт Конверсия не требуется
Эффективное напряжение: 1.7 вольт --> 1.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_th = V_gs-V_eff --> 4-1.7

Оценка ... ...

V_th = 2.3

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.3 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.3 вольт <-- Пороговое напряжение

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Напряжение » Пороговое напряжение MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< 20 Напряжение Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Идти Проводимость канала = Мобильность электронов на поверхности канала*Оксидная емкость*ширина канала/Длина канала*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Выходное напряжение общего затвора

Идти Выходное напряжение = -(крутизна*Критическое напряжение)*((Сопротивление нагрузки*Сопротивление ворот)/(Сопротивление ворот+Сопротивление нагрузки))

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при работе с дифференциальным входным напряжением

Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+sqrt((2*Ток смещения постоянного тока)/(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон))

Входное напряжение источника

Идти Входное напряжение источника = Входное напряжение*(Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))

Выходное напряжение на стоке Q1 полевого МОП-транзистора при синфазном сигнале

Идти Напряжение стока Q1 = -Выходное сопротивление*(крутизна*Синфазный входной сигнал)/(1+(2*крутизна*Выходное сопротивление))

Входное напряжение затвор-исток

Идти Критическое напряжение = (Сопротивление входного усилителя/(Сопротивление входного усилителя+Эквивалентное сопротивление источника))*Входное напряжение

Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET при синфазном сигнале

Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление/((1/крутизна)+2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал

Положительное напряжение, заданное параметром устройства в MOSFET

Идти Входной ток = Напряжение затвор-исток*(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Напряжение на затворе и истоке MOSFET при заданном входном токе

Идти Напряжение затвор-исток = Входной ток/(Угловая частота*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Повышенное напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель с сопротивлением нагрузки

Идти крутизна = Общий ток/(Синфазный входной сигнал-(2*Общий ток*Выходное сопротивление))

Инкрементальный сигнал напряжения дифференциального усилителя

Идти Синфазный входной сигнал = (Общий ток/крутизна)+(2*Общий ток*Выходное сопротивление)

Напряжение на стоке Q2 в MOSFET

Идти Выходное напряжение = -(Общее сопротивление нагрузки MOSFET/(2*Выходное сопротивление))*Синфазный входной сигнал

Напряжение на стоке Q1 MOSFET

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Напряжение между затвором и истоком полевого МОП-транзистора при дифференциальном входном напряжении при заданном напряжении перегрузки

Идти Напряжение затвор-исток = Пороговое напряжение+1.4*Эффективное напряжение

Пороговое напряжение, когда полевой МОП-транзистор действует как усилитель

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Выходное напряжение на стоке Q1 MOSFET

Идти Напряжение стока Q1 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)

Выходное напряжение на стоке Q2 MOSFET

Идти Напряжение стока Q2 = -(Выходное сопротивление*Общий ток)

Напряжение перегрузки

Идти Повышенное напряжение = (2*Ток стока)/крутизна

< 15 Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Проводимость канала МОП-транзистора с использованием напряжения «затвор-источник»

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Частота перехода MOSFET

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения с использованием слабого сигнала

Идти Усиление напряжения = крутизна*1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Конечное сопротивление)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Напряжение смещения MOSFET

Идти Общее мгновенное напряжение смещения = Напряжение смещения постоянного тока+Постоянное напряжение

Влияние тела на транспроводимость

Идти Транспроводимость тела = Изменение порогового значения базового напряжения*крутизна

Напряжение насыщения MOSFET

Идти Напряжение насыщения стока и истока = Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Пороговое напряжение MOSFET

Идти Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение

Коэффициент усиления в модели MOSFET с малым сигналом

Идти Коэффициент усиления = крутизна*Выходное сопротивление

Крутизна МОП-транзистора

Идти крутизна = (2*Ток стока)/Повышенное напряжение

Проводимость в линейном сопротивлении MOSFET

Идти Проводимость канала = 1/Линейное сопротивление

Пороговое напряжение MOSFET формула

Пороговое напряжение = Напряжение затвор-исток-Эффективное напряжение
V_th = V_gs-V_eff

Что такое пороговое напряжение?

Значение напряжения на оксиде, при котором в области канала накапливается достаточное количество подвижных электронов для образования проводящего канала, называется пороговым напряжением и обозначается как V

Объясните весь процесс формирования канальной области полевого МОП-транзистора конденсатора с параллельными пластинами.

Затвор и область канала полевого МОП-транзистора образуют конденсатор с параллельными пластинами, причем оксидный слой действует как диэлектрик конденсатора. Положительное напряжение затвора вызывает накопление положительного заряда на верхней пластине конденсатора (электрод затвора). Соответствующий отрицательный заряд на нижней пластине формируется электронами в индуцированном канале. Таким образом, электрическое поле развивается в вертикальном направлении. Именно это поле контролирует количество заряда в канале и, таким образом, определяет проводимость канала и, в свою очередь, ток, который будет течь через канал при приложении напряжения.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!