Крутизна биполярного транзистора при собственном усилении Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
крутизна = Ток стока/От ворот к источнику напряжения
Gm = Id/Vgs
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна — это отношение изменения тока на выходной клемме к изменению напряжения на входной клемме активного устройства.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока ниже порогового напряжения определяется как подпороговый ток и экспоненциально зависит от напряжения затвор-исток.
От ворот к источнику напряжения - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток транзистора - это напряжение, которое падает на клемму затвор-исток транзистора.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Ток стока: 0.3 Миллиампер --> 0.0003 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
От ворот к источнику напряжения: 17 вольт --> 17 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Gm = Id/Vgs --> 0.0003/17
Оценка ... ...
Gm = 1.76470588235294E-05
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1.76470588235294E-05 Сименс -->0.0176470588235294 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.0176470588235294 0.017647 Миллисименс <-- крутизна
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 600+!

4 крутизна Калькуляторы

Транспроводимость тела
Идти Транспроводимость тела = Параметр крутизны обратного затвора*крутизна
Крутизна биполярного транзистора при собственном усилении
Идти крутизна = Ток стока/От ворот к источнику напряжения
Крутизна с использованием тока коллектора
Идти крутизна = Коллекторный ток/Пороговое напряжение
Крутизна короткого замыкания
Идти крутизна = Выходной ток/Входное напряжение

Крутизна биполярного транзистора при собственном усилении формула

крутизна = Ток стока/От ворот к источнику напряжения
Gm = Id/Vgs

Какой транзистор имеет более высокое усиление BJT или MOS и почему?

BJT имеет большее усиление, чем MOSFET, потому что MOSFET показывает характеристики квадратичной IV, а BJT показывает характеристики экспоненциальной IV, а изменение экспоненциального поведения больше по сравнению с квадратичным поведением.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!