Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking Rekenmachine

✖Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.ⓘ Afvoerstroom [I_d]			+10% -10%
✖Gate-source-spanning van de transistor is de spanning die over de gate-source-aansluiting van de transistor valt.ⓘ Poort naar bronspanning [V_gs]			+10% -10%

✖Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.ⓘ Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking [G_m]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking

Formule

`"G"_{"m"} = "I"_{"d"}/"V"_{"gs"}`

Voorbeeld

`"0.017647mS"="0.3mA"/"17V"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf

Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie = Afvoerstroom/Poort naar bronspanning
G_m = I_d/V_gs
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie is de verhouding van de verandering in stroom aan de uitgangsterminal tot de verandering in de spanning aan de ingangsterminal van een actief apparaat.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de subdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.
Poort naar bronspanning - (Gemeten in Volt) - Gate-source-spanning van de transistor is de spanning die over de gate-source-aansluiting van de transistor valt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Afvoerstroom: 0.3 milliampère --> 0.0003 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Poort naar bronspanning: 17 Volt --> 17 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

G_m = I_d/V_gs --> 0.0003/17

Evalueren ... ...

G_m = 1.76470588235294E-05

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.76470588235294E-05 Siemens -->0.0176470588235294 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.0176470588235294 ≈ 0.017647 Millisiemens <-- Transconductantie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Transconductantie » Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 4 Transconductantie Rekenmachines

Transconductantie van het lichaam

Gaan Transconductantie van het lichaam = Back-gate Transconductantieparameter*Transconductantie

Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking

Gaan Transconductantie = Afvoerstroom/Poort naar bronspanning

Transconductantie met behulp van Collector Current

Gaan Transconductantie = Collector Stroom/Drempelspanning

Transconductantie door kortsluiting

Gaan Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning

Transconductantie van BJT bij intrinsieke versterking Formule

Transconductantie = Afvoerstroom/Poort naar bronspanning
G_m = I_d/V_gs

Welke transistor heeft een hogere versterking BJT of MOS en waarom?

BJT heeft meer winst dan MOSFET omdat MOSFET kwadratische IV-kenmerken vertoont en BJT exponentiële IV-kenmerken vertoont en de verandering in exponentieel gedrag meer is in vergelijking met kwadratisch gedrag.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!