Dynamischer Emitterwiderstand Taschenrechner

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Betriebsparameter des Transistors

Diodeneigenschaften

Elektrostatische Parameter

Halbleitereigenschaften

Ladungsträgereigenschaften

✖Der Emitterstrom ist als der Strom definiert, der durch den Emitteranschluss eines Bipolartransistors fließt.ⓘ Emitterstrom [I_e]

+10%

-10%

✖Der dynamische Emitterwiderstand stellt die Kleinsignaländerung der Spannung am Emitter aufgrund einer kleinen Änderung des Emitterstroms dar.ⓘ Dynamischer Emitterwiderstand [R_e]

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Formel

✖

Dynamischer Emitterwiderstand

Formel

`"R"_{"e"} = 0.026/"I"_{"e"}`

Beispiel

`"9.454545Ω"=0.026/"2.75mA"`

Taschenrechner

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Dynamischer Emitterwiderstand Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Dynamischer Emitterwiderstand = 0.026/Emitterstrom
R_e = 0.026/I_e
Diese formel verwendet 2 Variablen

Verwendete Variablen

Dynamischer Emitterwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der dynamische Emitterwiderstand stellt die Kleinsignaländerung der Spannung am Emitter aufgrund einer kleinen Änderung des Emitterstroms dar.
Emitterstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Emitterstrom ist als der Strom definiert, der durch den Emitteranschluss eines Bipolartransistors fließt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Emitterstrom: 2.75 Milliampere --> 0.00275 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R_e = 0.026/I_e --> 0.026/0.00275

Auswerten ... ...

R_e = 9.45454545454546

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

9.45454545454546 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

9.45454545454546 ≈ 9.454545 Ohm <-- Dynamischer Emitterwiderstand

(Berechnung in 00.008 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Pranav Simha R

BMS College of Engineering (BMSCE), Bangalore, Indien

Pranav Simha R hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Rachita C

BMS College of Engineering (BMSCE), Banglore

Rachita C hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Stromverbrauch

Gehen Stromverbrauch = Mobilität des Elektrons*Gate-Oxid-Kapazität*(Breite der Torverbindung/Torlänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Source-Sättigungsspannung

Emitter-Effizienz

Gehen Emitter-Effizienz = Elektronendiffusionsstrom/(Elektronendiffusionsstrom+Lochdiffusionsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Gemeinsame Kollektorspannung-Kollektorstrom*Sammlerwiderstand

Basisstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors

Gehen Basisstrom = Emitterstrom*(1-Aktueller Verstärkungsfaktor)-Kollektorbasis-Leckstrom

Kollektor-Emitter-Leckstrom

Gehen Kollektor-Emitter-Leckstrom = (Basistransportfaktor+1)*Kollektorbasis-Leckstrom

Aktueller Verstärkungsfaktor unter Verwendung des Basistransportfaktors

Gehen Aktueller Verstärkungsfaktor = Basistransportfaktor/(Basistransportfaktor+1)

Kollektorstrom unter Verwendung des Stromverstärkungsfaktors

Gehen Kollektorstrom = Aktueller Verstärkungsfaktor*Emitterstrom