Vorstrom im Differentialpaar Taschenrechner

✖Drain-Strom 1 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Strom ableiten 1 [I_d1]			+10% -10%
✖Drain-Strom 2 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.ⓘ Strom ableiten 2 [I_d2]			+10% -10%

✖Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.ⓘ Vorstrom im Differentialpaar [I_b]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Vorstrom im Differentialpaar

Formel

`"I"_{"b"} = "I"_{"d1"}+"I"_{"d2"}`

Beispiel

`"15.16mA"="7.65mA"+"7.51mA"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Vorstrom im Differentialpaar Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

DC-Vorstrom = Strom ableiten 1+Strom ableiten 2
I_b = I_d1+I_d2
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

DC-Vorstrom - (Gemessen in Ampere) - Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.
Strom ableiten 1 - (Gemessen in Ampere) - Drain-Strom 1 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.
Strom ableiten 2 - (Gemessen in Ampere) - Drain-Strom 2 ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Strom ableiten 1: 7.65 Milliampere --> 0.00765 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Strom ableiten 2: 7.51 Milliampere --> 0.00751 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_b = I_d1+I_d2 --> 0.00765+0.00751

Auswerten ... ...

I_b = 0.01516

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.01516 Ampere -->15.16 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

15.16 Milliampere <-- DC-Vorstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Voreingenommenheit » Vorstrom im Differentialpaar

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 18 Voreingenommenheit Taschenrechner

Kollektorstrom bei gegebener Stromverstärkung Mosfet

Gehen Kollektorstrom = (Aktueller Gewinn*(Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung))/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand)

Eingangsvorspannungsstrom des Mosfet

Gehen Eingangsvorspannungsstrom = (Negative Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/(Basiswiderstand+(Aktueller Gewinn+1)*Emitterwiderstand)

Kollektor-Emitter-Spannung bei gegebenem Kollektorwiderstand

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Kollektorversorgungsspannung-(Kollektorstrom+Eingangsvorspannungsstrom)*Kollektorlastwiderstand

Kollektorstrom bei gegebener Stromverstärkung

Gehen Kollektorstrom = Aktueller Gewinn*(Kollektorversorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Basiswiderstand

Kollektor-Emitter-Spannung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Kollektorversorgungsspannung-Kollektorlastwiderstand*Kollektorstrom

Kollektorspannung in Bezug auf Erde

Gehen Kollektorspannung = Kollektorversorgungsspannung-Kollektorstrom*Kollektorlastwiderstand

DC-Vorspannungsstrom des MOSFET

Gehen DC-Vorstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Emitterspannung in Bezug auf Masse

Gehen Emitterspannung = -Negative Versorgungsspannung+(Emitterstrom*Emitterwiderstand)

Basisstrom des MOSFET

Gehen Eingangsvorspannungsstrom = (Vorspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Basiswiderstand

DC-Bias-Ausgangsspannung am Drain

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*DC-Vorstrom

Kollektorstrom in Sättigung

Gehen Kollektorstromsättigung = Kollektorversorgungsspannung/Kollektorlastwiderstand

DC-Bias-Strom des MOSFET unter Verwendung der Overdrive-Spannung

Gehen DC-Vorstrom = 1/2*Transkonduktanzparameter*Effektive Spannung^2

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Kollektorstrom des Mosfet

Gehen Kollektorstrom = Aktueller Gewinn*Eingangsvorspannungsstrom

Eingangsvorspannungsstrom

Gehen DC-Vorstrom = (Eingangsbiasstrom 1+Eingangsbiasstrom 2)/2

Emitterstrom des Mosfet

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Eingangsvorspannungsstrom

Basisspannung in Bezug auf Erde

Gehen Basisspannung = Emitterspannung+Basis-Emitter-Spannung

Vorstrom im Differentialpaar

Gehen DC-Vorstrom = Strom ableiten 1+Strom ableiten 2

Vorstrom im Differentialpaar Formel

DC-Vorstrom = Strom ableiten 1+Strom ableiten 2
I_b = I_d1+I_d2

Wie kann die Kapazität eines Gates reduziert werden?

Die Kapazität eines Gates kann durch Verringern seiner Flächen oder Erhöhen der Dicke der Isolierschichten verringert werden. Die effektivste Methode besteht darin, die Fläche der Kondensatoren durch Verkleinern der Geräte zu minimieren. Skalierte Geräte haben aufgrund ihrer schrumpfenden Größe kleinere Kapazitätswerte.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!