| ✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom [Isat] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.ⓘ Basis-Emitter-Spannung [VBE] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [Vt] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Der Sättigungsstrom für Gleichstrom ist die Transistorleckstromdichte ohne Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der einen Transistor von einem anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom für DC [ISC] |  |  | +10% -10% | 
| ✖Die Basis-Kollektor-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorbereich eines Transistors.ⓘ Basis-Kollektor-Spannung [VBC] |  |  | +10% -10% |