Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)
CMRR = gm*(1/(1/R'1+1/R'2))*(2*Δgm*Rfo)
Diese formel verwendet 6 Variablen
Verwendete Variablen
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis - Das Gleichtaktunterdrückungsverhältnis ist ein Maß für die Fähigkeit einer elektronischen Schaltung, beispielsweise eines Verstärkers, Rauschen und Interferenzen zu unterdrücken, die beiden Eingangssignalen gemeinsam sind.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung ist der Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärspule und die Kapazität im Zusammenhang mit dem Mosfet.
Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung ist der Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärspule und die Kapazität im Zusammenhang mit dem Mosfet.
Änderung der Transkonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die Änderung der Transkonduktanz ist ein Maß für die Fähigkeit eines Geräts, beispielsweise eines Transistors oder einer Vakuumröhre, ein Eingangsspannungssignal in ein Ausgangsstromsignal umzuwandeln.
Endlicher Ausgangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der endliche Ausgangswiderstand ist ein Begriff, der die Eigenschaft einer elektronischen Schaltung oder eines Geräts beschreibt, die die Strommenge begrenzt, die an eine externe Last geliefert werden kann.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung: 0.09 Kiloohm --> 90 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung: 0.3 Kiloohm --> 300 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Änderung der Transkonduktanz: 29 Millisiemens --> 0.029 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
Endlicher Ausgangswiderstand: 0.038 Kiloohm --> 38 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
CMRR = gm*(1/(1/R'1+1/R'2))*(2*Δgm*Rfo) --> 0.0005*(1/(1/90+1/300))*(2*0.029*38)
Auswerten ... ...
CMRR = 0.0762923076923077
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
0.0762923076923077 --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
0.0762923076923077 0.076292 <-- Gleichtaktunterdrückungsverhältnis
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Urvi Rathod
Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad
Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

10+ Gleichtaktunterdrückungsverhältnis (CMRR) Taschenrechner

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei gegebenem Widerstand
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = (2*Steilheit*Ausgangswiderstand)/(Änderung des Ablaufwiderstands/Abflusswiderstand)
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis eines MOS-Transistors mit gesteuerter Quelle
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB = (modulus(Differenzverstärkungs-DB))/(modulus(Gleichtaktverstärkungs-DB))
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOSFET in Dezibel
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis in DB = modulus(20*log10((Spannungsverstärkung)/(Gleichtaktverstärkungs-DB)))
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis des MOSFET bei Transkonduktanz-Fehlanpassungen
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = (2*Steilheit*Ausgangswiderstand)/(Änderung der Transkonduktanz/Steilheit)
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast, wenn der Widerstand an den Drains gleich ist
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = (Steilheit*Endlicher Ausgangswiderstand)*(Steilheit*Quellenwiderstand)
Gleichtakt-Eingangssignal des MOSFET
​ Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (Gesamtstrom/Steilheit)+(2*Gesamtstrom*Gesamtlastwiderstand des MOSFET)
Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOSFET
​ Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = modulus((Spannungsverstärkung)/(Gleichtaktverstärkung))
Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebener Ausgangsspannung an Drain Q2
​ Gehen Drain-Spannung Q1 = (2*Ausgangswiderstand*Gleichtakt-Eingangssignal)/Abflusswiderstand
Gleichtaktsignal des MOSFET bei gegebenem Widerstand
​ Gehen Gleichtakt-Eingangssignal = (2*Ausgangswiderstand*Ausgangsspannung)/Lastwiderstand

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von MOS mit Stromspiegellast Formel

Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = Steilheit*(1/(1/Primärwicklungswiderstand in der Sekundärwicklung+1/Sekundärwicklungswiderstand in der Primärwicklung))*(2*Änderung der Transkonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand)
CMRR = gm*(1/(1/R'1+1/R'2))*(2*Δgm*Rfo)

Was ist eine stromgesteuerte Stromquelle?

Eine ideale abhängige stromgesteuerte Stromquelle, CCCS, hält einen Ausgangsstrom aufrecht, der proportional zu einem steuernden Eingangsstrom ist. Dann hängt der Ausgangsstrom vom Wert des Eingangsstroms ab, was ihn wiederum zu einer abhängigen Stromquelle macht.

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