Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Taschenrechner

✖Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.ⓘ MOSFET-Primärtranskonduktanz [g_mp]			+10% -10%
✖Der Widerstand zwischen Drain und Masse ist der Widerstand zwischen Drain-Anschluss des ersten Transistors und Masse.ⓘ Widerstand zwischen Abfluss und Erde [R_dg]			+10% -10%

✖Die Stromverstärkung ist das Verhältnis des Ausgangsstroms zum Eingangsstrom eines Verstärkers und wird als Stromverstärkung definiert.ⓘ Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors [A_i]

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Formel

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Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors

Formel

`"A"_{"i"} = 1/(1+1/("g"_{"mp"}*"R"_{"dg"}))`

Beispiel

`"0.82593"=1/(1+1/("19.77mS"*"0.24kΩ"))`

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Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))
A_i = 1/(1+1/(g_mp*R_dg))
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Aktueller Gewinn - Die Stromverstärkung ist das Verhältnis des Ausgangsstroms zum Eingangsstrom eines Verstärkers und wird als Stromverstärkung definiert.
MOSFET-Primärtranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Widerstand zwischen Abfluss und Erde - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand zwischen Drain und Masse ist der Widerstand zwischen Drain-Anschluss des ersten Transistors und Masse.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

MOSFET-Primärtranskonduktanz: 19.77 Millisiemens --> 0.01977 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Widerstand zwischen Abfluss und Erde: 0.24 Kiloohm --> 240 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_i = 1/(1+1/(g_mp*R_dg)) --> 1/(1+1/(0.01977*240))

Auswerten ... ...

A_i = 0.825929536276285

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.825929536276285 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.825929536276285 ≈ 0.82593 <-- Aktueller Gewinn

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 11 Common-Source-Verstärker Taschenrechner

Ausgangsspannung des Controlled Source Transistors

Gehen Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung = (Spannungsverstärkung*Elektrischer Strom-Kurzschlusstranskonduktanz*Differenzielles Ausgangssignal)*(1/Endgültiger Widerstand+1/Widerstand der Primärwicklung in der Sekundärwicklung)

Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Source-Verstärkers

Gehen Rückkopplungsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*(1/Abflusswiderstand+1/Lastwiderstand+1/Endlicher Ausgangswiderstand)^-1

Ausgangswiderstand an einem anderen Drain des Controlled-Source-Transistors

Gehen Abflusswiderstand = Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung+2*Endlicher Widerstand+2*Endlicher Widerstand*MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand der Sekundärwicklung in der Primärwicklung

Ausgangswiderstand des CS-Verstärkers mit Quellwiderstand

Gehen Abflusswiderstand = Endlicher Ausgangswiderstand+Quellenwiderstand+(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Endlicher Ausgangswiderstand*Quellenwiderstand)

Leerlaufspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung im Leerlauf = Endlicher Ausgangswiderstand/(Endlicher Ausgangswiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

Gehen MOSFET-Primärtranskonduktanz = Einheitsgewinnfrequenz*(Gate-Source-Kapazität+Kapazitäts-Gate zum Drain)

Gesamtspannungsverstärkung des Source-Folgers

Gehen Gesamtspannungsgewinn = Lastwiderstand/(Lastwiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors

Gehen Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))

Emitterspannung im Verhältnis zur Spannungsverstärkung

Gehen Emitterspannung = Kollektorspannung/Spannungsverstärkung

Gesamtspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung = Lastspannung/Eingangsspannung

Lastspannung des CS-Verstärkers

Gehen Lastspannung = Spannungsverstärkung*Eingangsspannung

< 13 Gängige Bühnenverstärker gewinnen Taschenrechner

Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Collector-Verstärkers

Gehen Gesamtspannungsgewinn = ((Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Lastwiderstand)/((Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Lastwiderstand+(Kollektor-Basisstromverstärkung+1)*Emitterwiderstand+Signalwiderstand)

Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Source-Verstärkers

Gesamtspannungsverstärkung des Common-Emitter-Verstärkers

Gehen Rückkopplungsspannungsverstärkung = -MOSFET-Primärtranskonduktanz*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))*(1/Sammlerwiderstand+1/Lastwiderstand+1/Endlicher Ausgangswiderstand)^-1

Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Emitter-Verstärkers

Gehen Rückkopplungsspannungsverstärkung = -Gemeinsame Basisstromverstärkung*Sammlerwiderstand/Emitterwiderstand*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand))

Gesamtstromverstärkung im Verhältnis zur Spannungsverstärkung

Gehen Gemeinsame Basisstromverstärkung = Gesamtspannungsgewinn/(Sammlerwiderstand/Emitterwiderstand*(Eingangswiderstand/(Eingangswiderstand+Signalwiderstand)))

Leerlaufspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung im Leerlauf = Endlicher Ausgangswiderstand/(Endlicher Ausgangswiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Negative Spannungsverstärkung von der Basis zum Kollektor

Gehen Negative Spannungsverstärkung = -Gemeinsame Basisstromverstärkung*(Sammlerwiderstand/Emitterwiderstand)

Gemeinsame Basisstromverstärkung

Gehen Gemeinsame Basisstromverstärkung = (Spannungsverstärkung*Emitterwiderstand/Sammlerwiderstand)

Gesamtspannungsverstärkung des Source-Folgers

Gehen Gesamtspannungsgewinn = Lastwiderstand/(Lastwiderstand+1/MOSFET-Primärtranskonduktanz)

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors

Gehen Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))

Emitterspannung im Verhältnis zur Spannungsverstärkung

Gehen Emitterspannung = Kollektorspannung/Spannungsverstärkung

Spannungsverstärkung des Common-Base-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung = Kollektorspannung/Emitterspannung

Gesamtspannungsverstärkung des CS-Verstärkers

Gehen Spannungsverstärkung = Lastspannung/Eingangsspannung

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Formel

Aktueller Gewinn = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde))
A_i = 1/(1+1/(g_mp*R_dg))

Was ist eine stromgesteuerte Stromquelle?

Eine ideale abhängige stromgesteuerte Stromquelle, CCCS, hält einen Ausgangsstrom aufrecht, der proportional zu einem steuernden Eingangsstrom ist. Dann hängt der Ausgangsstrom vom Wert des Eingangsstroms ab, was ihn wiederum zu einer abhängigen Stromquelle macht.

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