Eigener Gewinn von BJT Taschenrechner

✖Die Early-Spannung ist ein Phänomen, das in BJTs aufgrund von Variationen in der Breite des Basisbereichs auftritt, wenn die Kollektor-Basis-Spannung geändert wird. Dieser Effekt ändert seine aktuelle Verstärkung und I/O-Impedanz.ⓘ Frühe Spannung [V_A]			+10% -10%
✖Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.ⓘ Thermische Spannung [V_t]			+10% -10%

✖Intrinsic Gain ist definiert als die maximale Verstärkung des BJT.ⓘ Eigener Gewinn von BJT [A_o]

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Formel

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Eigener Gewinn von BJT

Formel

`"A"_{"o"} = "V"_{"A"}/"V"_{"t"}`

Beispiel

`"0.265957"="1.25V"/"4.7V"`

Taschenrechner

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Eigener Gewinn von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung
A_o = V_A/V_t
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Eigener Gewinn - Intrinsic Gain ist definiert als die maximale Verstärkung des BJT.
Frühe Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Early-Spannung ist ein Phänomen, das in BJTs aufgrund von Variationen in der Breite des Basisbereichs auftritt, wenn die Kollektor-Basis-Spannung geändert wird. Dieser Effekt ändert seine aktuelle Verstärkung und I/O-Impedanz.
Thermische Spannung - (Gemessen in Volt) - Die thermische Spannung ist die im pn-Übergang erzeugte Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Frühe Spannung: 1.25 Volt --> 1.25 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Thermische Spannung: 4.7 Volt --> 4.7 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

A_o = V_A/V_t --> 1.25/4.7

Auswerten ... ...

A_o = 0.265957446808511

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.265957446808511 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.265957446808511 ≈ 0.265957 <-- Eigener Gewinn

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 16 Verstärkungsfaktor/Verstärkung Taschenrechner

Gesamtspannungsverstärkung des Pufferverstärkers bei gegebenem Lastwiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = Lastwiderstand/(Lastwiderstand+Emitterwiderstand+Signalwiderstand/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1))

Verstärkungsfaktor von BJT

Gehen BJT-Verstärkungsfaktor = (Kollektorstrom/Grenzspannung)*((Positive Gleichspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom)

Gesamtspannungsverstärkung des Verstärkers, wenn der Lastwiderstand mit dem Ausgang verbunden ist

Gehen Spannungsverstärkung = Basisstromverstärkung*(1/Sammlerwiderstand+1/Lastwiderstand)^-1/(Signalwiderstand+Emitterwiderstand)

Gesamtspannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand von BJT

Gehen Spannungsverstärkung = -Steilheit*((Sammlerwiderstand*Lastwiderstand)/(Sammlerwiderstand+Lastwiderstand))

Gleichtaktverstärkung von BJT

Gehen Gleichtaktverstärkung = -(Sammlerwiderstand/(2*Ausgangswiderstand))*(Änderung des Collector-Widerstands/Sammlerwiderstand)

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Spannungsverstärkung = -(Versorgungsspannung-Kollektor-Emitter-Spannung)/Thermische Spannung

Spannungsverstärkung bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Spannungsverstärkung = -(Kollektorstrom/Thermische Spannung)*Sammlerwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Leerlaufspannungsverstärkung bei gegebenem Leerlauftranswiderstand

Gehen Verstärkung der Leerlaufspannung = Offener Stromkreis-Transwiderstand/Eingangswiderstand

Stromverstärkung in Emitterschaltung unter Verwendung der Stromverstärkung in Basisschaltung

Gehen Gemeinsame Emitterstromverstärkung = Basisstromverstärkung/(1-Basisstromverstärkung)

Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung

Gehen Erzwungene Common-Emitter-Stromverstärkung = Kollektorstrom/Basisstrom

Spannungsverstärkung bei Transkonduktanz und Kollektorwiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = -Steilheit*Sammlerwiderstand

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschlussstromverstärkung

Gehen Aktueller Gewinn = Ausgangsstrom/Eingangsstrom

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Eigener Gewinn von BJT Formel

Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung
A_o = V_A/V_t

Welcher Transistor hat BJT oder MOS mit höherer Verstärkung und warum?

BJT hat mehr Verstärkung als MOSFET, da MOSFET quadratische IV-Eigenschaften und BJT exponentielle IV-Eigenschaften aufweist und die Änderung des exponentiellen Verhaltens im Vergleich zum quadratischen Verhalten größer ist.

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