MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Steilheit = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung
gm = kn*Vov
Diese formel verwendet 3 Variablen
Verwendete Variablen
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter ist ein entscheidender Parameter in elektronischen Geräten und Schaltkreisen, der hilft, die Eingangs-Ausgangs-Beziehung zwischen Spannung und Strom zu beschreiben und zu quantifizieren.
Overdrive-Spannung - (Gemessen in Volt) - Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Transkonduktanzparameter: 10.5 Ampere pro Quadratvolt --> 10.5 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Overdrive-Spannung: 0.32 Volt --> 0.32 Volt Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
gm = kn*Vov --> 10.5*0.32
Auswerten ... ...
gm = 3.36
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
3.36 Siemens -->3360 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung ​hier)
ENDGÜLTIGE ANTWORT
3360 Millisiemens <-- Steilheit
(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Payal Priya
Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri
Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Prahalad Singh
Jaipur Engineering College und Forschungszentrum (JECRC), Jaipur
Prahalad Singh hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner verifiziert!

16 Steilheit Taschenrechner

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))
Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
​ Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung)
Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom
​ Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)
Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz
​ Gehen Stromverbrauch = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Transkonduktanzparameter verarbeiten)
Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)
MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz
​ Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis
Body-Effekt auf die Transkonduktanz
​ Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit
MOSFET-Transkonduktanz
​ Gehen Steilheit = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung
Back-Gate-Transkonduktanz
​ Gehen Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz
MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung
​ Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung
Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten
​ Gehen Transkonduktanzparameter = Steilheit/Overdrive-Spannung
Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
​ Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2
Transkonduktanz im MOSFET
​ Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung Formel

Steilheit = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung
gm = kn*Vov

Was ist die Verwendung der Transkonduktanz in MOSFET?

Die Transkonduktanz ist ein Ausdruck der Leistung eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors (FET). Im Allgemeinen ist die Verstärkung (Verstärkung), die es liefern kann, umso größer, je größer die Transkonduktanzzahl für ein Gerät ist, wenn alle anderen Faktoren konstant gehalten werden.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!