Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung
Gebrauchte Formel
Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen = (1/4)*(((Kathodenbündelstrom*Winkelfrequenz)/(Kathodenbündelspannung*Reduzierte Plasmafrequenz))^2)*(Strahlkopplungskoeffizient^4)*Gesamt-Shunt-Widerstand des Eingangshohlraums*Gesamt-Shunt-Widerstand der Ausgangskavität
Pg = (1/4)*(((Io*ωf)/(Vo*ωq))^2)*(βo^4)*Rsh*Rshl
Diese formel verwendet 8 Variablen
Verwendete Variablen
Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen - (Gemessen in Watt) - Mit der Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen ist die Erhöhung der Leistung gemeint, die der Verstärker im Vergleich zur Eingangsleistung erreicht.
Kathodenbündelstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Kathodenbündelstrom bezieht sich auf den Strom, der durch den Kathodenbündelstromkreis eines Klystrons oder einer anderen Mikrowellen-Vakuumröhre fließt.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Winkelfrequenz eines stetig wiederkehrenden Phänomens, ausgedrückt in Radianten pro Sekunde.
Kathodenbündelspannung - (Gemessen in Volt) - Die Kathodenbündelspannung ist die Spannung, die an die Kathode einer Klystronröhre angelegt wird, um einen gebündelten Elektronenstrahl zu erzeugen, der mit dem Resonanzhohlraum des Klystrons interagiert und Mikrowellenleistung erzeugt.
Reduzierte Plasmafrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Reduzierte Plasmafrequenz ist definiert als die Verringerung der Plasmafrequenz auf ionischer Ebene aus mehreren Gründen.
Strahlkopplungskoeffizient - (Gemessen in Bogenmaß pro Meter) - Der Strahlkopplungskoeffizient bezieht sich auf den Parameter, der den Grad der Wechselwirkung zwischen dem Elektronenstrahl und den elektromagnetischen Feldern innerhalb der Röhre quantifiziert.
Gesamt-Shunt-Widerstand des Eingangshohlraums - (Gemessen in Ohm) - Der Gesamtshuntwiderstand des Eingangshohlraums in einer Mikrowellenröhre bezieht sich auf den kombinierten elektrischen Widerstand aller parallel an den Eingangskreis des Hohlraums angeschlossenen Komponenten.
Gesamt-Shunt-Widerstand der Ausgangskavität - (Gemessen in Ohm) - Der gesamte Shunt-Widerstand des Ausgangshohlraums in einer Mikrowellenröhre stellt den kumulativen elektrischen Widerstand aller Komponenten dar, die parallel an den Ausgangskreis des Hohlraums angeschlossen sind.
SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit
Kathodenbündelstrom: 1.56 Ampere --> 1.56 Ampere Keine Konvertierung erforderlich
Winkelfrequenz: 10.28 Hertz --> 10.28 Hertz Keine Konvertierung erforderlich
Kathodenbündelspannung: 85 Volt --> 85 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Reduzierte Plasmafrequenz: 1200000 Radiant pro Sekunde --> 1200000 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Strahlkopplungskoeffizient: 7.7 Bogenmaß pro Meter --> 7.7 Bogenmaß pro Meter Keine Konvertierung erforderlich
Gesamt-Shunt-Widerstand des Eingangshohlraums: 3.2 Ohm --> 3.2 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Gesamt-Shunt-Widerstand der Ausgangskavität: 2.3 Ohm --> 2.3 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
SCHRITT 2: Formel auswerten
Eingabewerte in Formel ersetzen
Pg = (1/4)*(((Iof)/(Voq))^2)*(βo^4)*Rsh*Rshl --> (1/4)*(((1.56*10.28)/(85*1200000))^2)*(7.7^4)*3.2*2.3
Auswerten ... ...
Pg = 1.59887976488216E-10
SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit
1.59887976488216E-10 Watt --> Keine Konvertierung erforderlich
ENDGÜLTIGE ANTWORT
1.59887976488216E-10 1.6E-10 Watt <-- Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen
(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Credits

Creator Image
Erstellt von Zaheer Scheich
Seshadri Rao Gudlavalleru Ingenieurschule (SRGEC), Gudlavalleru
Zaheer Scheich hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!
Verifier Image
Geprüft von Banuprakash
Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore
Banuprakash hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner verifiziert!

Strahlrohr Taschenrechner

Hauttiefe
​ Gehen Hauttiefe = sqrt(Widerstand/(pi*Relative Permeabilität*Frequenz))
Trägerfrequenz in der Spektrallinie
​ Gehen Trägerfrequenz = Spektrallinienfrequenz-Anzahl von Beispielen*Wiederholungsfrequenz
Im Anodenstromkreis erzeugter Strom
​ Gehen Im Anodenstromkreis erzeugter Strom = Gleichstromquelle*Elektronische Effizienz
Rechteckige Mikrowellenimpuls-Spitzenleistung
​ Gehen Pulsspitzenleistung = Durchschnittliche Kraft/Auslastungsgrad

Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen Formel

Leistungsverstärkung eines Klystron-Verstärkers mit zwei Hohlräumen = (1/4)*(((Kathodenbündelstrom*Winkelfrequenz)/(Kathodenbündelspannung*Reduzierte Plasmafrequenz))^2)*(Strahlkopplungskoeffizient^4)*Gesamt-Shunt-Widerstand des Eingangshohlraums*Gesamt-Shunt-Widerstand der Ausgangskavität
Pg = (1/4)*(((Io*ωf)/(Vo*ωq))^2)*(βo^4)*Rsh*Rshl
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