Schottky-Defektkonzentration Taschenrechner

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Phasendiagramme und Phasentransformationen

✖Anzahl der Atomstellen pro Kubikmeter.ⓘ Anzahl der Atomstellen [N]			+10% -10%
✖Die Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung repräsentiert die Energie, die für die Bildung eines Schottky-Defekts benötigt wird.ⓘ Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung [Q_s]			+10% -10%
✖Die universelle Gaskonstante ist eine physikalische Konstante, die in einer Gleichung erscheint, die das Verhalten eines Gases unter theoretisch idealen Bedingungen definiert. Seine Einheit ist Joule * Kelvin - 1 * Mol - 1.ⓘ Universelle Gas Konstante [R]			+10% -10%
✖Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.ⓘ Temperatur [T]			+10% -10%

✖Die Anzahl der Schottky-Defekte gibt die Gleichgewichtszahl der Schottky-Defekte pro Kubikmeter an.ⓘ Schottky-Defektkonzentration [N_S]

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Formel

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Schottky-Defektkonzentration

Formel

`"N"_{"S"} = "N"*exp(-"Q"_{"s"}/(2*"R"*"T"))`

Beispiel

`"8E^28"="8.0E28"*exp(-"2.6eV"/(2*"8.314"*"85K"))`

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Schottky-Defektkonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Anzahl der Schottky-Defekte = Anzahl der Atomstellen*exp(-Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung/(2*Universelle Gas Konstante*Temperatur))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 5 Variablen

Verwendete Funktionen

exp - Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Wert der Funktion bei jeder Änderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor., exp(Number)

Verwendete Variablen

Anzahl der Schottky-Defekte - Die Anzahl der Schottky-Defekte gibt die Gleichgewichtszahl der Schottky-Defekte pro Kubikmeter an.
Anzahl der Atomstellen - Anzahl der Atomstellen pro Kubikmeter.
Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung - (Gemessen in Joule) - Die Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung repräsentiert die Energie, die für die Bildung eines Schottky-Defekts benötigt wird.
Universelle Gas Konstante - Die universelle Gaskonstante ist eine physikalische Konstante, die in einer Gleichung erscheint, die das Verhalten eines Gases unter theoretisch idealen Bedingungen definiert. Seine Einheit ist Joule * Kelvin - 1 * Mol - 1.
Temperatur - (Gemessen in Kelvin) - Temperatur ist der Grad oder die Intensität der Wärme, die in einer Substanz oder einem Objekt vorhanden ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Anzahl der Atomstellen: 8E+28 --> Keine Konvertierung erforderlich
Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung: 2.6 Elektronen Volt --> 4.16566105800002E-19 Joule (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Universelle Gas Konstante: 8.314 --> Keine Konvertierung erforderlich
Temperatur: 85 Kelvin --> 85 Kelvin Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T)) --> 8E+28*exp(-4.16566105800002E-19/(2*8.314*85))

Auswerten ... ...

N_S = 8E+28

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

8E+28 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

8E+28 <-- Anzahl der Schottky-Defekte

(Berechnung in 00.007 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Team Softusvista

Softusvista Office (Pune), Indien

Team Softusvista hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Himanshi Sharma

Bhilai Institute of Technology (BISSCHEN), Raipur

Himanshi Sharma hat diesen Rechner und 800+ weitere Rechner verifiziert!

< 10+ Keramik und Verbundwerkstoffe Taschenrechner

Elastizitätsmodul des Komposits in Querrichtung

Gehen Elastizitätsmodul in Querrichtung = (Elastizitätsmodul der Matrix im Komposit*Elastizitätsmodul der Faser in Verbundwerkstoffen)/(Volumenanteil der Ballaststoffe*Elastizitätsmodul der Matrix im Komposit+(1-Volumenanteil der Ballaststoffe)*Elastizitätsmodul der Faser in Verbundwerkstoffen)

Längsfestigkeit des diskontinuierlichen faserverstärkten Verbundwerkstoffs (weniger als die kritische Länge)

Gehen Längsfestigkeit des Verbundwerkstoffs (diskontinuierliche Faser weniger als lc) = (Volumenanteil der Ballaststoffe*Faserlänge*Kritische Scherspannung/Faserdurchmesser)+Stress in der Matrix*(1-Volumenanteil der Ballaststoffe)

Längsfestigkeit von diskontinuierlichem faserverstärktem Verbundwerkstoff

Gehen Längsfestigkeit des Verbundwerkstoffs (diskontinuierliche Faser) = Zugfestigkeit der Faser*Volumenanteil der Ballaststoffe*(1-(Kritische Faserlänge/(2*Faserlänge)))+Stress in der Matrix*(1-Volumenanteil der Ballaststoffe)

Elastizitätsmodul des Komposits in Längsrichtung

Gehen Elastizitätsmodul von Young in Längsrichtung = Elastizitätsmodul der Matrix im Komposit*(1-Volumenanteil der Ballaststoffe)+Elastizitätsmodul der Faser in Verbundwerkstoffen*Volumenanteil der Ballaststoffe

Elastizitätsmodul von porösem Material

Gehen Elastizitätsmodul von porösem Material = Elastizitätsmodul von nicht porösem Material*(1-(0.019*Volumenprozent der Porosität)+(0.00009*Volumenprozent der Porosität*Volumenprozent der Porosität))

Schottky-Defektkonzentration

Gehen Anzahl der Schottky-Defekte = Anzahl der Atomstellen*exp(-Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung/(2*Universelle Gas Konstante*Temperatur))

Längsfestigkeit des Verbundwerkstoffs

Gehen Längsfestigkeit des Verbundwerkstoffs = Stress in der Matrix*(1-Volumenanteil der Ballaststoffe)+Zugfestigkeit der Faser*Volumenanteil der Ballaststoffe

Prozent ionischer Charakter

Gehen Prozent ionischer Charakter = 100*(1-exp(-0.25*(Elektronegativität von Element A.-Elektronegativität von Element B.)^2))

Kritische Faserlänge

Gehen Kritische Faserlänge = Zugfestigkeit der Faser*Faserdurchmesser/(2*Kritische Scherspannung)

Elastizitätsmodul aus Schermodul

Gehen Elastizitätsmodul = 2*Schermodul*(1+Poisson-Zahl)

Schottky-Defektkonzentration Formel

Anzahl der Schottky-Defekte = Anzahl der Atomstellen*exp(-Aktivierungsenergie für die Schottky-Bildung/(2*Universelle Gas Konstante*Temperatur))
N_S = N*exp(-Q_s/(2*R*T))

Schottky-Defekte

Man könnte sich Schottky-Defekte vorstellen, die entstehen, indem ein Kation und ein Anion aus dem Inneren des Kristalls entfernt und beide an einer äußeren Oberfläche platziert werden. Da sowohl Kationen als auch Anionen die gleiche Ladung haben und für jede Anionenlücke eine Kationenlücke existiert, bleibt die Ladungsneutralität des Kristalls erhalten.

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