Kurzschlussstrom des MOSFET Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.ⓘ Gate-Source-Spannung [V_gs]			+10% -10%

✖Der Ausgangsstrom ist der elektrische Strom, der von einem Geräteausgangsanschluss fließt. Dabei handelt es sich um die Menge an elektrischer Ladung, die pro Zeiteinheit durch den Ausgang fließt.ⓘ Kurzschlussstrom des MOSFET [I_out]

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Formel

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Kurzschlussstrom des MOSFET

Formel

`"I"_{"out"} = "g"_{"m"}*"V"_{"gs"}`

Beispiel

`"0.002A"="0.5mS"*"4V"`

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Kurzschlussstrom des MOSFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausgangsstrom = Steilheit*Gate-Source-Spannung
I_out = g_m*V_gs
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Ausgangsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Ausgangsstrom ist der elektrische Strom, der von einem Geräteausgangsanschluss fließt. Dabei handelt es sich um die Menge an elektrischer Ladung, die pro Zeiteinheit durch den Ausgang fließt.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Gate-Source-Spannung: 4 Volt --> 4 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_out = g_m*V_gs --> 0.0005*4

Auswerten ... ...

I_out = 0.002

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.002 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.002 Ampere <-- Ausgangsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

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Zweiter Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-(Differenzielles Eingangssignal)^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Erster Drainstrom des MOSFET im Großsignalbetrieb

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2*sqrt(1-Differenzielles Eingangssignal^2/(4*Overdrive-Spannung^2))

Momentaner Abflussstrom

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung+Kritische Spannung)^2

Drainstrom ohne Kanallängenmodulation des MOSFET

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2

Drain-Sättigungsstrom des MOSFET

Gehen Sättigungsstrom = 1/2*Transkonduktanz in PMOS verarbeiten*Kanalbreite/Kanallänge*(Effektive Spannung)^2

Zweiter Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 2 = DC-Vorstrom/2-DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Erster Drain-Strom des MOSFET im Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Strom ableiten 1 = DC-Vorstrom/2+DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung*Differenzielles Eingangssignal/2

Drainstrom des MOSFET bei Großsignalbetrieb bei Übersteuerungsspannung

Gehen Stromverbrauch = (DC-Vorstrom/Overdrive-Spannung)*(Differenzielles Eingangssignal/2)

Momentaner Drainstrom in Bezug auf die Gleichstromkomponente von Vgs

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter*((Kritische Spannung-Gesamtspannung)^2)

Strom in Lastleitung ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Versorgungsspannung-Drain-Source-Spannung)/Lastwiderstand

Strom in der Gleichtaktunterdrückung des MOSFET

Gehen Gesamtstrom = Inkrementelles Signal/((1/Steilheit)+(2*Ausgangswiderstand))

Kurzschlussstrom des MOSFET

Gehen Ausgangsstrom = Steilheit*Gate-Source-Spannung

Kurzschlussstrom des MOSFET Formel

Ausgangsstrom = Steilheit*Gate-Source-Spannung
I_out = g_m*V_gs

Wie schützt man einen MOSFET vor einem Kurzschluss?

Die Spannung über dem Innenwiderstand kann mit einem einfachen Komparator oder sogar einem Transistor erfasst werden, der sich bei einer Spannung von etwa 0,5 V einschaltet. Sie können somit die Verwendung eines Messwiderstands (Shunt) vermeiden, der normalerweise einen unerwünschten zusätzlichen Spannungsabfall erzeugt. Der Komparator kann von einem Mikrocontroller überwacht werden.

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