Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern Taschenrechner

✖Der Transkonduktanzparameter Kn ist ein Maß für die Änderung des durch einen Transistor fließenden Stroms als Reaktion auf eine kleine Spannungsänderung.ⓘ Transkonduktanzparameter [K_n]			+10% -10%
✖Die Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen angelegte Spannung, die den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen steuert.ⓘ Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung [V_gsq]			+10% -10%
✖Die Gesamtspannung in einer Reihenschaltung ist gleich der Summe aller einzelnen Spannungsabfälle in der Schaltung.ⓘ Gesamtspannung [V_t]			+10% -10%

✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern [g_m]

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Formel

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Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

Formel

`"g"_{"m"} = 2*"K"_{"n"}*("V"_{"gsq"}-"V"_{"t"})`

Beispiel

`"1120mS"=2*"0.07A/V²"*("10V"-"2V")`

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Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)
g_m = 2*K_n*(V_gsq-V_t)
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Transkonduktanzparameter - (Gemessen in Ampere pro Quadratvolt) - Der Transkonduktanzparameter Kn ist ein Maß für die Änderung des durch einen Transistor fließenden Stroms als Reaktion auf eine kleine Spannungsänderung.
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung bezieht sich auf die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen angelegte Spannung, die den Stromfluss zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen steuert.
Gesamtspannung - (Gemessen in Volt) - Die Gesamtspannung in einer Reihenschaltung ist gleich der Summe aller einzelnen Spannungsabfälle in der Schaltung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Transkonduktanzparameter: 0.07 Ampere pro Quadratvolt --> 0.07 Ampere pro Quadratvolt Keine Konvertierung erforderlich
Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung: 10 Volt --> 10 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Gesamtspannung: 2 Volt --> 2 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_m = 2*K_n*(V_gsq-V_t) --> 2*0.07*(10-2)

Auswerten ... ...

g_m = 1.12

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.12 Siemens -->1120 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1120 Millisiemens <-- Steilheit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Ritwik Tripathi

Vellore Institut für Technologie (VIT Vellore), Vellore

Ritwik Tripathi hat diesen Rechner und 10+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 15 Kleinsignalanalyse Taschenrechner

Kleine Signalspannungsverstärkung in Bezug auf den Eingangswiderstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Widerstand des Eingangsverstärkers/(Widerstand des Eingangsverstärkers+Selbstinduzierter Widerstand))*((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand))/(1/Steilheit+((Quellenwiderstand*Ausgangswiderstand)/(Quellenwiderstand+Ausgangswiderstand)))

Gate-Source-Spannung im Verhältnis zum Kleinsignalwiderstand

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung*((1/Steilheit)/((1/Steilheit)*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))))

Gemeinsame Drain-Ausgangsspannung im Kleinsignal

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Kritische Spannung*((Quellenwiderstand*Kleinsignalwiderstand)/(Quellenwiderstand+Kleinsignalwiderstand))

Ausgangsspannung des Kleinsignal-P-Kanals

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Abflusswiderstand+Ausgangswiderstand))

Spannungsverstärkung für Kleinsignale

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*(1/((1/Lastwiderstand)+(1/Abflusswiderstand))))/(1+(Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand))

Kleinsignal-Spannungsverstärkung in Bezug auf den Drain-Widerstand

Gehen Spannungsverstärkung = (Steilheit*((Ausgangswiderstand*Abflusswiderstand)/(Ausgangswiderstand+Abflusswiderstand)))

Ausgangsstrom des Kleinsignals

Gehen Ausgangsstrom = (Steilheit*Kritische Spannung)*(Abflusswiderstand/(Lastwiderstand+Abflusswiderstand))

Eingangsstrom des Kleinsignals

Gehen Eingangsstrom des Kleinsignals = (Kritische Spannung*((1+Steilheit*Selbstinduzierter Widerstand)/Selbstinduzierter Widerstand))

Verstärkungsfaktor für das Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = 1/Mittlerer freier Elektronenweg*sqrt((2*Transkonduktanzparameter verarbeiten)/Stromverbrauch)

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern

Gehen Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)

Gate-Source-Spannung im Kleinsignal

Gehen Kritische Spannung = Eingangsspannung/(1+Selbstinduzierter Widerstand*Steilheit)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Kleinsignal-Ausgangsspannung

Gehen Ausgangsspannung = Steilheit*Source-Gate-Spannung*Lastwiderstand

Drainstrom des MOSFET-Kleinsignals

Gehen Stromverbrauch = 1/(Mittlerer freier Elektronenweg*Ausgangswiderstand)

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Transkonduktanz bei gegebenen Kleinsignalparametern Formel

Steilheit = 2*Transkonduktanzparameter*(Gleichstromkomponente der Gate-Source-Spannung-Gesamtspannung)
g_m = 2*K_n*(V_gsq-V_t)

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